Infineon N-Kanal, MOSFET, 24 A 650 V, 3 Ben, TO-220, IPP
- RS-varenummer:
- 258-3899
- Producentens varenummer:
- IPP65R095C7XKSA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 enhed)*
Kr. 46,15
(ekskl. moms)
Kr. 57,69
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 79 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 46,15 |
| 10 - 24 | Kr. 44,95 |
| 25 - 49 | Kr. 43,68 |
| 50 - 99 | Kr. 42,49 |
| 100 + | Kr. 41,66 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 258-3899
- Producentens varenummer:
- IPP65R095C7XKSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 24A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Serie | IPP | |
| Monteringstype | Overflademontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 95mΩ | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 128W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 45nC | |
| Portkildespænding maks. | 30V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 900mV | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 24A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Serie IPP | ||
Monteringstype Overflademontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 95mΩ | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 128W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 45nC | ||
Portkildespænding maks. 30V | ||
Gennemgangsspænding Vf 900mV | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon CoolMOS er revolutionerende teknologi til højspændings-MOSFET'er, der er designet i overensstemmelse med super junction-princippet og pionerudviklet af Infineon Technologies. CoolMOS C7 serien kombinerer erfaringerne fra den førende SJ MOSFET-leverandør med innovation i høj klasse. Produktporteføljen giver alle fordelene ved offset switching super junction MOSFET'er, der giver bedre effektivitet, reduceret gate-opladning, nem implementering og fremragende pålidelighed.
Lavere gate-opladning Qg
Pladsbesparende ved brug af mindre huse eller reduktion af dele
Laveste ledningstab/hus
Lavt skiftetab
Bedre effektivitet ved let belastning