Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 483 A 100 V Forbedring, TO-247, HEXFET
- RS-varenummer:
- 258-3950
- Producentens varenummer:
- IRF100P218AKMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (25 enheder, i en tube med 25)*
Kr. 1.003,22
(ekskl. moms)
Kr. 1.254,03
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- 400 enhed(er) afsendes fra 03. december 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | Kr. 40,129 | Kr. 1.003,23 |
| 50 - 100 | Kr. 38,124 | Kr. 953,10 |
| 125 + | Kr. 36,517 | Kr. 912,93 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 258-3950
- Producentens varenummer:
- IRF100P218AKMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 483A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Emballagetype | TO-247 | |
| Serie | HEXFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.28mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | +175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 483A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Emballagetype TO-247 | ||
Serie HEXFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.28mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. +175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon MOSFET StrongIRFET har forbedret gate, avalanche og dynamisk dv/dt robusthed og fuldt karakteriseret kapacitet og avalanche SOA.
UPS- og inverteranvendelser
Halv-bro- og fuld-bro-topologier
Resonansstrømforsyninger
Relaterede links
- Infineon 483 A 100 V HEXFET
- Infineon 316 A 100 V HEXFET
- Infineon N-Kanal 483 A 100 V Forbedring TO-247, StrongIRFET
- Infineon 316 A 150 V HEXFET
- Infineon 186 A 150 V HEXFET
- Infineon N-Kanal 134 A 100 V Forbedring TO-247, HEXFET
- Infineon N-Kanal 57 A 100 V Forbedring TO-247, HEXFET
- Infineon N-Kanal 42 A 100 V Forbedring TO-247, HEXFET