Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 8 A 800 V, 3 Ben, PG-TO220-3, CoolMOSTM 800V Nej SPP08N80C3XKSA1
- RS-varenummer:
- 259-1577
- Producentens varenummer:
- SPP08N80C3XKSA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 42,91
(ekskl. moms)
Kr. 53,638
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 920 enhed(er) afsendes fra 12. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | Kr. 21,455 | Kr. 42,91 |
| 20 - 48 | Kr. 18,885 | Kr. 37,77 |
| 50 - 98 | Kr. 17,84 | Kr. 35,68 |
| 100 - 198 | Kr. 16,53 | Kr. 33,06 |
| 200 + | Kr. 15,22 | Kr. 30,44 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 259-1577
- Producentens varenummer:
- SPP08N80C3XKSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 8A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 800V | |
| Emballagetype | PG-TO220-3 | |
| Serie | CoolMOSTM 800V | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.5Ω | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 45nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 104W | |
| Portkildespænding maks. | ±30 V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | JEDEC1, RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Distrelec Product Id | 304-34-464 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 8A | ||
Drain source spænding maks. Vds 800V | ||
Emballagetype PG-TO220-3 | ||
Serie CoolMOSTM 800V | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.5Ω | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 45nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 104W | ||
Portkildespænding maks. ±30 V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser JEDEC1, RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Distrelec Product Id 304-34-464 | ||
Infineons coolmostm effekttransistor er skifteanvendelse. Det er industriel anvendelse med høj DC bulkspænding. Den er kvalificeret i overensstemmelse med JEDEC1 til målapplikationer.
Ekstrem dv/dt mærkeværdi
Høj spidsstrømkapacitet
Meget lav gate-opladning
Meget lave effektive kapaciteter
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 8 A 800 V PG-TO220-3, CoolMOSTM 800V Nej
- Infineon Type N-Kanal 6 A 800 V Forbedring PG-TO220-3, CoolMOS^TM Nej
- Infineon Type N-Kanal 6 A 800 V Forbedring PG-TO220-3, CoolMOS^TM Nej SPP06N80C3XKSA1
- Infineon 4 A 800 V PG-TO251-3, 800V CoolMOS P7 Nej
- Infineon 4 A 800 V PG-TO251-3, 800V CoolMOS P7 Nej IPU80R1K4P7AKMA1
- Infineon 18 A 600 V Forbedring PG-TO-220, CoolMOSTM P7 Nej
- Infineon N-Kanal 120 A PG-TO220 IPP120N10S405AKSA1
- Infineon 18 A 600 V Forbedring PG-TO-220, CoolMOSTM P7 Nej IPAN60R180P7SXKSA1
