Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 36.23 A 700 V Forbedring, 3 Ben, PG-TO220-3, IPP
- RS-varenummer:
- 273-3020
- Producentens varenummer:
- IPP65R060CFD7XKSA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 enhed)*
Kr. 43,23
(ekskl. moms)
Kr. 54,04
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 370 enhed(er) afsendes fra 08. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 43,23 |
| 10 - 24 | Kr. 39,34 |
| 25 - 49 | Kr. 35,98 |
| 50 - 99 | Kr. 33,21 |
| 100 + | Kr. 30,89 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 273-3020
- Producentens varenummer:
- IPP65R060CFD7XKSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 36.23A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 700V | |
| Emballagetype | PG-TO220-3 | |
| Serie | IPP | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 60mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 171W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 68nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | JEDEC, RoHS | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 36.23A | ||
Drain source spænding maks. Vds 700V | ||
Emballagetype PG-TO220-3 | ||
Serie IPP | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 60mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 171W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 68nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser JEDEC, RoHS | ||
Infineon 650 V kølig MOS CFD7 super junction MOSFET i et TO-220 hus er velegnet til resonante topologier i industrielle anvendelser, som f.eks. server-, telekommunikations-, sol- og EV-ladestationer, hvor den muliggør betydelig effektivitetsforbedring
Fremragende robusthed ved hård omskiftning
Ekstra sikkerhedsmargen til konstruktioner med øget busspænding
Aktiverer øget effekttæthed
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 36.23 A 700 V Forbedring PG-TO220-3, IPP
- Infineon Type N-Kanal 70 A 600 V Forbedring PG-TO220-3, IPP
- Infineon Type N-Kanal 135 A 600 V Forbedring PG-TO220-3, IPP
- Infineon Type N-Kanal 98 A 135 V Forbedring PG-TO220-3, IPP
- Infineon Type N-Kanal 39 A 200 V Forbedring PG-TO220-3, IPP
- Infineon Type N-Kanal 19 A 600 V Forbedring PG-TO220-3, IPP
- Infineon Type N-Kanal 136 A 200 V Forbedring PG-TO220-3, IPP
- Infineon Type N-Kanal 100 A 100 V Forbedring PG-TO220-3, OptiMOSa5