Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 36.23 A 700 V Forbedring, 3 Ben, PG-TO220-3, IPP

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 enhed)*

Kr. 44,43

(ekskl. moms)

Kr. 55,54

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 400 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
1 - 9Kr. 44,43
10 - 24Kr. 40,39
25 - 49Kr. 36,95
50 - 99Kr. 34,11
100 +Kr. 31,72

*Vejledende pris

RS-varenummer:
273-3020
Producentens varenummer:
IPP65R060CFD7XKSA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

36.23A

Drain source spænding maks. Vds

700V

Emballagetype

PG-TO220-3

Serie

IPP

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

60mΩ

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

171W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

68nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

30 V

Gennemgangsspænding Vf

1V

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

JEDEC, RoHS

Infineon 650 V kølig MOS CFD7 super junction MOSFET i et TO-220 hus er velegnet til resonante topologier i industrielle anvendelser, som f.eks. server-, telekommunikations-, sol- og EV-ladestationer, hvor den muliggør betydelig effektivitetsforbedring

Fremragende robusthed ved hård omskiftning

Ekstra sikkerhedsmargen til konstruktioner med øget busspænding

Aktiverer øget effekttæthed

Relaterede links