Infineon Type N-Kanal, Effekttransistor, 39 A 200 V Forbedring, 3 Ben, PG-TO220-3, IPP
- RS-varenummer:
- 349-118
- Producentens varenummer:
- IPP339N20NM6AKSA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 72,33
(ekskl. moms)
Kr. 90,41
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 485 enhed(er) afsendes fra 08. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 14,466 | Kr. 72,33 |
| 50 - 95 | Kr. 13,748 | Kr. 68,74 |
| 100 + | Kr. 12,746 | Kr. 63,73 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 349-118
- Producentens varenummer:
- IPP339N20NM6AKSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | Effekttransistor | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 39A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 200V | |
| Emballagetype | PG-TO220-3 | |
| Serie | IPP | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 33.9mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 125W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 24nC | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | JEDEC for Industrial Applications | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype Effekttransistor | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 39A | ||
Drain source spænding maks. Vds 200V | ||
Emballagetype PG-TO220-3 | ||
Serie IPP | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 33.9mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 125W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 24nC | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser JEDEC for Industrial Applications | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
Infineon OptiMOS 6 Power Transistor er en N-kanal MOSFET på normalt niveau, der er designet til højeffektive effektapplikationer. Den har meget lav on-modstand (RDS(on)), hvilket sikrer reducerede ledningstab. MOSFET'en kan også prale af et fremragende gate charge x RDS(on)-produkt (FOM) for overlegen switching performance og meget lav reverse recovery charge (Qrr) for effektiv drift. Den er 100 % lavinetestet, hvilket sikrer robusthed, og den kan fungere ved en høj temperatur på 175 °C, hvilket gør den pålidelig selv i krævende miljøer.
Optimeret til motordrev og batteridrevne applikationer
Pb-fri blybelægning
RoHS-overensstemmende
Halogenfri i henhold til IEC61249-2-21
MSL 1 klassificeret i henhold til J-STD-020
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 98 A 135 V Forbedring PG-TO220-3, IPP
- Infineon Type N-Kanal 19 A 600 V Forbedring PG-TO220-3, IPP
- Infineon Type N-Kanal 136 A 200 V Forbedring PG-TO220-3, IPP
- Infineon Type N-Kanal 36.23 A 700 V Forbedring PG-TO220-3, IPP
- Infineon Type N-Kanal 70 A 600 V Forbedring PG-TO220-3, IPP
- Infineon Type N-Kanal 135 A 600 V Forbedring PG-TO220-3, IPP
- Infineon Type N-Kanal 100 A 100 V Forbedring PG-TO220-3, OptiMOSa5
- Infineon Type N-Kanal 48 A 600 V Forbedring PG-TO220-3, IPA