Infineon N-Kanal, MOSFET, 135 A 600 V Forbedring, 3 Ben, PG-TO220-3, IPP

Denne MOSFET er en højspændings N-kanal-transistor, der er designet til effektkobling og styring i krævende elektroniske systemer. Den fungerer over et bredt temperaturområde, der er velegnet til barske miljøer, og leveres i en TO-220-pakke med gennemgående hul til nem kølelegeme og montering på kort. Enheden er i overensstemmelse med standard halvledergodkendelser og er beregnet til anvendelser, der kræver betydelig strømstyrke og termisk modstandsdygtighed.

• 600 V-klassificering muliggør højspændingskoblingsanvendelser
• 135 A kontinuerlig afløbsstrøm understøtter kraftige belastningsstrømme
• 16 mΩ maks. Rds(on) reducerer ledningstab under belastning
• 625 W maks. effekttab muliggør forøget termisk belastning
• 171 nC typisk gate-opladning hjælper med forudsigelig skifteadfærd
• Vgs±30 V tolerance muliggør robuste gate-drive-margener

• Velegnet til strømomformere og invertere på netniveau
• Ideel til industrielle motordrevskiftetrin
• Anvendes sammen med DC/DC-konverteringsmoduler med høj strømstyrke
• Kan bruges til udstyr til elektronisk belastning og strømtest
• Velegnet til strømforsyninger i telekommunikationsinfrastruktur

Den er normeret til kontinuerlig drift fra -55 °C op til 175 °C, hvilket giver mulighed for brug i både koldstart og miljøer med høje temperaturer.

Enheden bruger en 3-benet konfiguration og er designet til montering gennem hul i et standard TO-220-footprint.

Gate-spændingen skal forblive inden for ±30 V for at beskytte porten

Den har JEDEC-anerkendte kvalifikationer og RoHS-overensstemmelse for materiale- og fremstillingsstandarder.