Infineon Type N-Kanal, Effekttransistor, 19 A 600 V Forbedring, 3 Ben, PG-TO220-3, IPP Nej IPP60R180CM8XKSA1

RS-varenummer:: 349-003
Producentens varenummer:: IPP60R180CM8XKSA1
Brand:: Infineon

Infineon Type N-Kanal, Effekttransistor, 19 A 600 V Forbedring, 3 Ben, PG-TO220-3, IPP Nej IPP60R180CM8XKSA1

Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 71,57

(ekskl. moms)

Kr. 89,46

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.

På lager

470 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr pakke*
5 - 45	Kr. 14,314	Kr. 71,57
50 - 95	Kr. 13,584	Kr. 67,92
100 - 495	Kr. 12,596	Kr. 62,98
500 - 995	Kr. 11,594	Kr. 57,97
1000 +	Kr. 11,176	Kr. 55,88

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 349-003
Producentens varenummer:: IPP60R180CM8XKSA1
Brand:: Infineon

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Infineon
	Kanaltype	Type N
	Produkttype	Effekttransistor
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	19A
	Drain source spænding maks. Vds	600V
	Serie	IPP
	Emballagetype	PG-TO220-3
	Monteringstype	Hulmontering
	Benantal	3
	Drain source modstand maks. Rds	180mΩ
	Kanalform	Forbedring
	Portkildespænding maks.	30 V
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	17nC
	Effektafsættelse maks. Pd	142W
	Gennemgangsspænding Vf	0.9V
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Driftstemperatur maks.	150°C
	Standarder/godkendelser	JEDEC
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand Infineon
	Kanaltype Type N
	Produkttype Effekttransistor
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 19A
	Drain source spænding maks. Vds 600V
	Serie IPP
	Emballagetype PG-TO220-3
	Monteringstype Hulmontering
	Benantal 3
	Drain source modstand maks. Rds 180mΩ
	Kanalform Forbedring
	Portkildespænding maks. 30 V
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 17nC
	Effektafsættelse maks. Pd 142W
	Gennemgangsspænding Vf 0.9V
	Min. driftstemperatur -55°C
	Driftstemperatur maks. 150°C
	Standarder/godkendelser JEDEC
	Bilindustristandarder Nej

Datasheet - IPP60R180CM8XKSA1

COO (Country of Origin):: MY

Infineons CoolMOS 8. generationsplatform er en revolutionerende teknologi til højspændings-MOSFET'er, designet efter super junction (SJ)-princippet og banebrydende for Infineon Technologies. 600V CoolMOS CM8-serien er efterfølgeren til CoolMOS 7. Den kombinerer fordelene ved en hurtigt skiftende SJ MOSFET med fremragende brugervenlighed, f.eks. lav tendens til ringning, implementeret hurtig kropsdiode til alle produkter med enestående robusthed over for hård kommutering og fremragende ESD-egenskaber. Desuden gør de ekstremt lave switching- og ledningstab i CM8 switching-applikationer endnu mere effektive.

Velegnet til hårde og bløde switching-topologier

Brugervenlighed og hurtigt design gennem lav tendens til ringning

Forenklet varmestyring takket være vores avancerede teknik til fastgørelse af matricer

Velegnet til en lang række anvendelser og effektområder

Løsninger med øget effekttæthed muliggøres ved at bruge produkter med mindre fodaftryk

Infineon Type N-Kanal, Effekttransistor, 19 A 600 V Forbedring, 3 Ben, PG-TO220-3, IPP Nej IPP60R180CM8XKSA1

GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.

Relaterede links