Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 36.23 A 700 V Forbedring, 3 Ben, PG-TO220-3, IPP IPP65R060CFD7XKSA1

Se alle MOSFET

Indhold (1 rør af 50 enheder)*

Kr. 1.166,90

(ekskl. moms)

Kr. 1.458,60

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 400 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rør*
50 +Kr. 23,338Kr. 1.166,90

*Vejledende pris

RS-varenummer:
273-3019
Producentens varenummer:
IPP65R060CFD7XKSA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

36.23A

Drain source spænding maks. Vds

700V

Emballagetype

PG-TO220-3

Serie

IPP

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

60mΩ

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

1V

Effektafsættelse maks. Pd

171W

Portkildespænding maks.

30 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

68nC

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

JEDEC, RoHS

Infineon 650 V kølig MOS CFD7 super junction MOSFET i et TO-220 hus er velegnet til resonante topologier i industrielle anvendelser, som f.eks. server-, telekommunikations-, sol- og EV-ladestationer, hvor den muliggør betydelig effektivitetsforbedring

Fremragende robusthed ved hård omskiftning

Ekstra sikkerhedsmargen til konstruktioner med øget busspænding

Aktiverer øget effekttæthed

Relaterede links