Infineon N-Kanal, MOSFET, 365 A 100 V Forbedring, 16 Ben, HDSOP, IPT
- RS-varenummer:
- 259-2732
- Producentens varenummer:
- IPTC014N10NM5ATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 enhed)*
Kr. 42,34
(ekskl. moms)
Kr. 52,92
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- 1.800 enhed(er) afsendes fra 30. september 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 42,34 |
| 10 - 24 | Kr. 38,60 |
| 25 - 49 | Kr. 35,98 |
| 50 - 99 | Kr. 33,51 |
| 100 + | Kr. 30,97 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 259-2732
- Producentens varenummer:
- IPTC014N10NM5ATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 365A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Emballagetype | HDSOP | |
| Serie | IPT | |
| Monteringstype | Overflademontering | |
| Benantal | 16 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.4mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 880mV | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 375W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 168nC | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS, IEC 61249-2-21 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 365A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Emballagetype HDSOP | ||
Serie IPT | ||
Monteringstype Overflademontering | ||
Benantal 16 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.4mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 880mV | ||
Effektafsættelse maks. Pd 375W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 168nC | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS, IEC 61249-2-21 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon OptiMOS 5 industrielle effekt-MOSFET-enheder i 80 V og 100 V er designet til synkron ensretning i telekommunikation og server strømforsyning, men også det ideelle valg til andre anvendelser som f.eks. solcelleanlæg, lavspændingsdrev og bærbar computeradapter. Med en bred pakkeportefølje giver denne serie af effekt-MOSFET'er branchens laveste RDS(on). Et af de største bidrag til denne brancheførende fortjenstfaktor (FOM) er den lave modstand i tændt tilstand med en værdi så lav som 2,7 mΩ i SuperSO8-huset, der giver det højeste niveau af effekttæthed og effektivitet.
N-kanal, normalt niveau
Meget lav modstand ved tændt RDS(on)
Fremragende termisk modstand
100 % lavine-testet
Blyfri ledningsbelægning; I overensstemmelse med RoHS
Halogenfri i overensstemmelse med IEC61249-2-24