Infineon N-Kanal, MOSFET, 120 mA 600 V Udtømning, 4 Ben, PG-SOT223, BSP AEC-Q101

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 1000 enheder)*

Kr. 3.842,00

(ekskl. moms)

Kr. 4.802,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 7.000 enhed(er) afsendes fra 12. oktober 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
1000 +Kr. 3,842Kr. 3.842,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
260-5074
Producentens varenummer:
BSP135H6906XTSA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

120mA

Drain source spænding maks. Vds

600V

Serie

BSP

Emballagetype

PG-SOT223

Benantal

4

Drain source modstand maks. Rds

60mΩ

Kanalform

Udtømning

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

AEC-Q101

Infineon N-kanals MOSFET-transistor fungerer i udtømningstilstand. Dens maksimale effekttab er 1,8 W. Denne MOSFET-transistor har en mindste driftstemperatur på -55 °C og maks. 150 °C.

Udtømningstilstand

dv eller dt mærkeværdi

Fås med V GS(th) indikator på hjul

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.