Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 3.6 A 650 V Forbedring, 3 Ben, PG-SOT223, IPN
- RS-varenummer:
- 273-3016
- Producentens varenummer:
- IPN60R1K5PFD7SATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 38,67
(ekskl. moms)
Kr. 48,34
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 2.990 enhed(er) afsendes fra 08. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | Kr. 3,867 | Kr. 38,67 |
| 50 - 90 | Kr. 3,261 | Kr. 32,61 |
| 100 - 240 | Kr. 3,044 | Kr. 30,44 |
| 250 - 990 | Kr. 2,97 | Kr. 29,70 |
| 1000 + | Kr. 2,925 | Kr. 29,25 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 273-3016
- Producentens varenummer:
- IPN60R1K5PFD7SATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 3.6A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Serie | IPN | |
| Emballagetype | PG-SOT223 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.5Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -40°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 4.6nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 6W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | JEDEC Standard | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 3.6A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Serie IPN | ||
Emballagetype PG-SOT223 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.5Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -40°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 4.6nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 6W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser JEDEC Standard | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineons 600 V kølige MOS PFD7 super junction MOSFET supplerer det kølige MOS 7, der tilbydes til forbrugeranvendelser.
BOM omkostningsreduktion og nem fremstilling
Robusthed og pålidelighed
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 3.6 A 650 V Forbedring PG-SOT223, IPN
- Infineon 7.6 A PG-SOT223, IPN
- Infineon Type P-Kanal 1.9 A 60 V Forbedring PG-SOT223, ISP
- Infineon 16 A 650 V Forbedring PG-TO-220, CoolMOSTMPFD7
- Infineon Type N-Kanal 142 A 650 V Forbedring PG-HSOF-8, CoolSiC MOSFET 650 V G1
- Infineon Type N-Kanal 196 A 650 V Forbedring PG-HSOF-8, CoolSiC MOSFET 650 V G1
- Infineon Type N-Kanal 61 A 650 V Forbedring PG-HSOF-8, CoolSiC MOSFET 650 V G1
- Infineon Type N-Kanal 50 A 650 V Forbedring PG-HSOF-8, CoolSiC MOSFET 650 V G1