Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 3.6 A 650 V Forbedring, 3 Ben, PG-SOT223, IPN Nej

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 10 enheder)*

Kr. 40,37

(ekskl. moms)

Kr. 50,46

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 2.990 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
10 - 40Kr. 4,037Kr. 40,37
50 - 90Kr. 3,411Kr. 34,11
100 - 240Kr. 3,179Kr. 31,79
250 - 990Kr. 3,112Kr. 31,12
1000 +Kr. 3,059Kr. 30,59

*Vejledende pris

RS-varenummer:
273-3016
Producentens varenummer:
IPN60R1K5PFD7SATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

3.6A

Drain source spænding maks. Vds

650V

Serie

IPN

Emballagetype

PG-SOT223

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

1.5Ω

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

6W

Portkildespænding maks.

20 V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

4.6nC

Min. driftstemperatur

-40°C

Gennemgangsspænding Vf

1V

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

JEDEC Standard

Bilindustristandarder

Nej

Infineons 600 V kølige MOS PFD7 super junction MOSFET supplerer det kølige MOS 7, der tilbydes til forbrugeranvendelser.

BOM omkostningsreduktion og nem fremstilling

Robusthed og pålidelighed

Relaterede links