Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 3.6 A 650 V Forbedring, 3 Ben, PG-SOT223, IPN Nej IPN60R1K5PFD7SATMA1

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*

Kr. 5.310,00

(ekskl. moms)

Kr. 6.630,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 30. marts 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
3000 +Kr. 1,77Kr. 5.310,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
273-3015
Producentens varenummer:
IPN60R1K5PFD7SATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

3.6A

Drain source spænding maks. Vds

650V

Serie

IPN

Emballagetype

PG-SOT223

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

1.5Ω

Kanalform

Forbedring

Portkildespænding maks.

20 V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

4.6nC

Gennemgangsspænding Vf

1V

Min. driftstemperatur

-40°C

Effektafsættelse maks. Pd

6W

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

JEDEC Standard

Bilindustristandarder

Nej

Infineons 600 V kølige MOS PFD7 super junction MOSFET supplerer det kølige MOS 7, der tilbydes til forbrugeranvendelser.

BOM omkostningsreduktion og nem fremstilling

Robusthed og pålidelighed

Relaterede links