Infineon Type P-Kanal, P-kanal, 1.9 A 60 V Forbedring, 3 Ben, PG-SOT223, ISP
- RS-varenummer:
- 273-3042
- Producentens varenummer:
- ISP26DP06NMSATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 25 enheder)*
Kr. 68,075
(ekskl. moms)
Kr. 85,10
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 2.925 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | Kr. 2,723 | Kr. 68,08 |
| 50 - 75 | Kr. 2,516 | Kr. 62,90 |
| 100 - 225 | Kr. 2,34 | Kr. 58,50 |
| 250 - 975 | Kr. 2,292 | Kr. 57,30 |
| 1000 + | Kr. 2,244 | Kr. 56,10 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 273-3042
- Producentens varenummer:
- ISP26DP06NMSATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type P | |
| Produkttype | P-kanal | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 1.9A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | PG-SOT223 | |
| Serie | ISP | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 260mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 10.8nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 5W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS, IEC61249-2-21 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type P | ||
Produkttype P-kanal | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 1.9A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype PG-SOT223 | ||
Serie ISP | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 260mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 10.8nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 5W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS, IEC61249-2-21 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon P-kanals MOSFET på normalt og logisk niveau, hvilket reducerer konstruktionskompleksiteten i mellem- og laveffektsanvendelser.
Nemt interface til MCU
Hurtig skifte
Avalanche robusthed
Relaterede links
- Infineon Type P-Kanal 1.9 A 60 V Forbedring PG-SOT223, ISP
- Infineon Type P-Kanal 1.9 A 60 V Forbedring SOT-223, ISP AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 3.6 A 650 V Forbedring PG-SOT223, IPN
- Infineon Type P-Kanal 1.29 A 150 V Forbedring SOT-223, ISP
- Infineon Type P-Kanal 3.9 A 100 V Forbedring SOT-223, ISP
- Infineon Type P-Kanal 990 mA 100 V Forbedring SOT-223, ISP
- Infineon Type P-Kanal 1.55 A 100 V Forbedring SOT-223, ISP
- Infineon Type P-Kanal -2.8 A 40 V Forbedring SOT-223, ISP AEC-Q101
