Infineon, MOSFET, 16 A 650 V Forbedring, 3 Ben, PG-TO-220, CoolMOSTMPFD7 Nej
- RS-varenummer:
- 273-7461
- Producentens varenummer:
- IPAN60R210PFD7SXKSA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 28,20
(ekskl. moms)
Kr. 35,24
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 500 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | Kr. 14,10 | Kr. 28,20 |
| 10 - 18 | Kr. 11,82 | Kr. 23,64 |
| 20 - 98 | Kr. 11,595 | Kr. 23,19 |
| 100 - 248 | Kr. 9,425 | Kr. 18,85 |
| 250 + | Kr. 8,675 | Kr. 17,35 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 273-7461
- Producentens varenummer:
- IPAN60R210PFD7SXKSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 16A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Serie | CoolMOSTMPFD7 | |
| Emballagetype | PG-TO-220 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 210mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 23nC | |
| Min. driftstemperatur | -40°C | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 25W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 16A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Serie CoolMOSTMPFD7 | ||
Emballagetype PG-TO-220 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 210mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 23nC | ||
Min. driftstemperatur -40°C | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 25W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon MOSFET tilbyder revolutionerende Cool MOS-teknologi til højspændings-effekt-MOSFET'er. Den er designet efter superjunction-princippet og pioneret af Infineon Technologies. Den nyeste Cool MOS PFD7 er en optimeret platform, der er skræddersyet til at målrette omkostningsfølsomme anvendelser på forbrugermarkeder som f.eks. lader, adapter, motordrev, belysning osv. Den nye serie giver alle fordelene ved en hurtigt skiftende Super junction MOSFET, kombineret med et fremragende pris/ydeevne-forhold og state-of-the-art brugervenlighed. Teknologien opfylder de højeste effektivitetsstandarder og understøtter høj effekttæthed, hvilket gør det muligt for kunderne at gå i retning af meget slanke designs.
Hurtig husdiode
Ekstremt lave tab
Lavt skiftetab Eoss
Fremragende termisk adfærd
Fremragende omskiftningsrobusthed
Relaterede links
- Infineon 16 A PG-TO220 IPAN60R210PFD7SXKSA1
- Infineon 18 A PG-TO220 IPAN60R180P7SXKSA1
- Infineon N-Kanal 84 A, PG-TO220-3 IPP120N20NFDAKSA1
- Infineon N-Kanal 80 A PG-TO220 IPP052NE7N3GXKSA1
- Infineon N-Kanal 100 A PG-TO220 IPP034NE7N3GXKSA1
- Infineon N-Kanal 120 A PG-TO220 IPP120N10S405AKSA1
- Infineon N-Kanal 80 A PG-TO220 IPP086N10N3GXKSA1
- Infineon N-Kanal 109 A 60 V, PG-TO220-3 IPP040N06NF2SAKMA1
