Infineon, MOSFET, 16 A 650 V Forbedring, 3 Ben, PG-TO-220, CoolMOSTMPFD7
- RS-varenummer:
- 273-7461
- Producentens varenummer:
- IPAN60R210PFD7SXKSA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 27,45
(ekskl. moms)
Kr. 34,312
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 500 enhed(er) afsendes fra 20. februar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | Kr. 13,725 | Kr. 27,45 |
| 10 - 18 | Kr. 11,48 | Kr. 22,96 |
| 20 - 98 | Kr. 11,295 | Kr. 22,59 |
| 100 - 248 | Kr. 9,20 | Kr. 18,40 |
| 250 + | Kr. 8,45 | Kr. 16,90 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 273-7461
- Producentens varenummer:
- IPAN60R210PFD7SXKSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 16A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Emballagetype | PG-TO-220 | |
| Serie | CoolMOSTMPFD7 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 210mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -40°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 25W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 23nC | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 16A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Emballagetype PG-TO-220 | ||
Serie CoolMOSTMPFD7 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 210mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -40°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 25W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 23nC | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon MOSFET tilbyder revolutionerende Cool MOS-teknologi til højspændings-effekt-MOSFET'er. Den er designet efter superjunction-princippet og pioneret af Infineon Technologies. Den nyeste Cool MOS PFD7 er en optimeret platform, der er skræddersyet til at målrette omkostningsfølsomme anvendelser på forbrugermarkeder som f.eks. lader, adapter, motordrev, belysning osv. Den nye serie giver alle fordelene ved en hurtigt skiftende Super junction MOSFET, kombineret med et fremragende pris/ydeevne-forhold og state-of-the-art brugervenlighed. Teknologien opfylder de højeste effektivitetsstandarder og understøtter høj effekttæthed, hvilket gør det muligt for kunderne at gå i retning af meget slanke designs.
Hurtig husdiode
Ekstremt lave tab
Lavt skiftetab Eoss
Fremragende termisk adfærd
Fremragende omskiftningsrobusthed
Relaterede links
- Infineon 16 A 650 V Forbedring PG-TO-220, CoolMOSTMPFD7
- Infineon 18 A 600 V Forbedring PG-TO-220, CoolMOSTM P7
- Infineon Type N-Kanal 130 A 650 V Forbedring PG-TO-247, IMW65
- Infineon Type N-Kanal 64 A 650 V Forbedring PG-TO-247, IMW65
- Infineon Type N-Kanal 53 A 650 V Forbedring PG-TO-247, IMW65
- Infineon Type N-Kanal 83 A 650 V Forbedring PG-TO-247, CoolSiC
- Infineon Type N-Kanal 93 A 650 V Forbedring PG-TO-247, CoolSiC
- Infineon Type N-Kanal 38 A 650 V Forbedring PG-TO-247, CoolSiC