Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 53 A 650 V Forbedring, 3 Ben, PG-TO-247, IMW65 Nej IMW65R033M2HXKSA1

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 enhed)*

Kr. 98,15

(ekskl. moms)

Kr. 122,69

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 240 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
1 - 9Kr. 98,15
10 - 99Kr. 88,34
100 +Kr. 81,46

*Vejledende pris

RS-varenummer:
351-865
Producentens varenummer:
IMW65R033M2HXKSA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

53A

Udgangseffekt

194W

Drain source spænding maks. Vds

650V

Emballagetype

PG-TO-247

Serie

IMW65

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

175°C

Højde

5.3mm

Standarder/godkendelser

JEDEC for Industrial Applications

Længde

16.3mm

Bredde

21.5 mm

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN
Infineon CoolSiC MOSFET 650 V, 33 mΩ G2 i en TO-247-3-pakke bygger på styrkerne i Generation 1-teknologien og muliggør accelereret systemdesign af mere omkostningsoptimerede, effektive, kompakte og pålidelige løsninger. Generation 2 kommer med betydelige forbedringer i nøgletal for både hard-switching-drift og soft-switching-topologier, der passer til alle almindelige kombinationer af AC-DC, DC-DC og DC-AC-trin.

Fremragende tal for fortjeneste (FOM'er)

Klassens bedste RDS(on)

Høj robusthed og generel kvalitet

Fleksibelt spændingsområde

Understøttelse af unipolær kørsel (VGSoff=0)

Bedste immunitet mod tændingseffekter

Forbedret sammenkobling af pakker med .XT

Relaterede links