Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 130 A 650 V Forbedring, 3 Ben, PG-TO-247, IMW65

Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (1 enhed)*

Kr. 209,29

(ekskl. moms)

Kr. 261,61

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 240 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
1 - 9Kr. 209,29
10 - 99Kr. 188,35
100 +Kr. 173,69

*Vejledende pris

RS-varenummer:
351-950
Producentens varenummer:
IMW65R010M2HXKSA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

130A

Udgangseffekt

312W

Drain source spænding maks. Vds

650V

Emballagetype

PG-TO-247

Serie

IMW65

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

175°C

Længde

16.3mm

Højde

5.3mm

Standarder/godkendelser

JEDEC

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN
Infineon CoolSiC MOSFET G2 i en TO-247-3-pakke bygger på styrkerne i Generation 1-teknologien og muliggør accelereret systemdesign af mere omkostningsoptimerede, effektive, kompakte og pålidelige løsninger. Generation 2 kommer med betydelige forbedringer i nøgletal for både hard-switching-drift og soft-switching-topologier, der passer til alle almindelige kombinationer af AC-DC, DC-DC og DC-AC-trin.

Muliggør besparelser på styklister

Højeste pålidelighed

Muliggør topeffektivitet og effekttæthed

Brugervenlighed

Fuld kompatibilitet med eksisterende leverandører

Tillader design uden blæser eller kølelegeme

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.