Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 190 A 60 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, iPB Nej IPB013N06NF2SATMA1

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 2 enheder)*

Kr. 58,40

(ekskl. moms)

Kr. 73,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 798 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
2 - 18Kr. 29,20Kr. 58,40
20 - 48Kr. 26,29Kr. 52,58
50 - 98Kr. 24,495Kr. 48,99
100 - 198Kr. 22,815Kr. 45,63
200 +Kr. 21,32Kr. 42,64

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
262-5848
Producentens varenummer:
IPB013N06NF2SATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

190A

Drain source spænding maks. Vds

60V

Emballagetype

TO-263

Serie

iPB

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

1.15mΩ

Kanalform

Forbedring

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

Infineon N-kanals effekttransistor er optimeret til en bred vifte af anvendelser, og den er 100 procent lavine-testet.

Blyfri ledningsbelægning

I overensstemmelse med RoHS

Halogenfri i overensstemmelse med IEC61249-2-21

Relaterede links