Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 16 A 100 V Forbedring, 3 Ben, TO-251, HEXFET
- RS-varenummer:
- 262-6775
- Producentens varenummer:
- IRFU3910PBF
- Brand:
- Infineon
Indhold (1 rør af 3000 enheder)*
Kr. 8.970,00
(ekskl. moms)
Kr. 11.220,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 10. april 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 3000 + | Kr. 2,99 | Kr. 8.970,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 262-6775
- Producentens varenummer:
- IRFU3910PBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 16A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Emballagetype | TO-251 | |
| Serie | HEXFET | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 115mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 29.3nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 52W | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Længde | 6.73mm | |
| Højde | 2.39mm | |
| Bredde | 6.22 mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 16A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Emballagetype TO-251 | ||
Serie HEXFET | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 115mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 29.3nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 52W | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Længde 6.73mm | ||
Højde 2.39mm | ||
Bredde 6.22 mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon Power MOSFET benytter de nyeste behandlingsteknikker til at opnå ekstremt lav modstand ved tænding pr. siliciumareal. Den har meget lav modstand ved tændt. Den giver designeren en ekstremt effektiv og pålidelig enhed til brug i en lang række anvendelser.
Hurtig omskiftning
Fuldt lavineret
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 16 A 100 V Forbedring TO-251, HEXFET Nej IRFU3910PBF
- Infineon Type N-Kanal 17 A 100 V Forbedring TO-251, HEXFET Nej
- Infineon Type N-Kanal 17 A 100 V Forbedring TO-251, HEXFET Nej IRLU3410PBF
- Infineon N-Kanal 63 A 100 V IPAK (TO-251), HEXFET IRLU3110ZPBF
- Infineon N-Kanal 56 A 100 V IPAK (TO-251), HEXFET IRFU4510PBF
- Infineon Type N-Kanal 16 A 110 V Forbedring TO-252, HEXFET Nej
- Infineon Type N-Kanal 16 A 110 V Forbedring TO-252, HEXFET Nej IRFR3910TRLPBF
- Infineon Type N-Kanal 10 A 700 V Forbedring TO-251, CoolMOS Nej
