Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 16 A 100 V Forbedring, 3 Ben, TO-251, HEXFET
- RS-varenummer:
- 262-6775
- Producentens varenummer:
- IRFU3910PBF
- Brand:
- Infineon
Indhold (1 rør af 3000 enheder)*
Kr. 7.917,00
(ekskl. moms)
Kr. 9.897,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 24. august 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 3000 + | Kr. 2,639 | Kr. 7.917,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 262-6775
- Producentens varenummer:
- IRFU3910PBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 16A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Serie | HEXFET | |
| Emballagetype | TO-251 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 115mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 29.3nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 52W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Højde | 2.39mm | |
| Længde | 6.73mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 16A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Serie HEXFET | ||
Emballagetype TO-251 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 115mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 29.3nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 52W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Højde 2.39mm | ||
Længde 6.73mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon Power MOSFET benytter de nyeste behandlingsteknikker til at opnå ekstremt lav modstand ved tænding pr. siliciumareal. Den har meget lav modstand ved tændt. Den giver designeren en ekstremt effektiv og pålidelig enhed til brug i en lang række anvendelser.
Hurtig omskiftning
Fuldt lavineret
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 16 A 100 V Forbedring TO-251, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 17 A 100 V Forbedring TO-251, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 4 A 700 V Forbedring TO-251, CoolMOS
- Infineon Type N-Kanal 6 A 700 V Forbedring TO-251, IPS70R
- Infineon Type N-Kanal 4 A 700 V Forbedring TO-251, IPS70R
- Infineon Type N-Kanal 8.5 A 700 V Forbedring TO-251, IPS70R
- Infineon Type N-Kanal 6 A 700 V Forbedring TO-251, CoolMOS
- Infineon Type N-Kanal 1.5 A 800 V Forbedring TO-251, CoolMOS