Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 3.2 A 30 V Forbedring, 6 Ben, Micro6, HEXFET

Kan ikke leveres i øjeblikket
Vi ved ikke, om dette produkt kommer på lager igen. RS har planer om at tage det ud af sortimentet inden længe.
Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
262-6786
Elfa Distrelec varenummer:
304-41-683
Producentens varenummer:
IRLMS1503TRPBF
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

3.2A

Drain source spænding maks. Vds

30V

Emballagetype

Micro6

Serie

HEXFET

Monteringstype

Overflade

Benantal

6

Drain source modstand maks. Rds

200mΩ

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

1.7W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

6.4nC

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Bilindustristandarder

Nej

Infineon Power MOSFET benytter avancerede behandlingsteknikker til at opnå ekstremt lav modstand ved tændt pr. siliciumareal. Den kombineres med den hurtige skiftehastighed og det robuste enhedsdesign, som strøm-MOSFET'en er kendt for, hvilket giver designeren en ekstremt effektiv og pålidelig enhed til brug i en lang række anvendelser.

Meget lav Rds

N-kanal

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.