Microchip N-Kanal, MOSFET 60 V, TO-92 TN0606N3-G
- RS-varenummer:
- 264-8910P
- Producentens varenummer:
- TN0606N3-G
- Brand:
- Microchip
930 På lager til afsendelse samme dag
Dag til dag levering ikke mulig
Tilføjet
Pris pr. stk. Pr. stk. (Leveres i en Pose)
Kr. 6,216
(ekskl. moms)
Kr. 7,77
(inkl. moms)
| Enheder | Pr stk. |
| 50 - 90 | Kr. 6,216 |
| 100 - 240 | Kr. 5,58 |
| 250 - 490 | Kr. 5,468 |
| 500 + | Kr. 5,356 |
- RS-varenummer:
- 264-8910P
- Producentens varenummer:
- TN0606N3-G
- Brand:
- Microchip
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Microchips N-kanal MOSFET med lav tærskel-forbedringstilstand (normalt slukket) udnytter en vertikal DMOS-struktur og gennemprøvet fremstillingsproces med silicium-gate. Denne kombination frembringer en enhed med effekthåndteringsmulighederne for bipolære transistorer og den høje indgangsimpedans og positive temperaturkoefficient, der er iboende i MOS-enheder. Denne enhed er karakteristisk for alle MOS-strukturer og er fri for termisk flugt og termisk induceret sekundær sammenbrud. Vertikale DMOS FET'er er ideelle til en bred vifte af koblings- og forstærkningsanvendelser, hvor meget lav tærskelspænding, høj nedbrydningsspænding, høj indgangsimpedans, lav indgangskapacitet og hurtige koblingshastigheder ønskes.
2 V maks. lav tærskelværdi
Høj indgangsimpedans
100 pF typisk lav indgangskapacitet
Hurtige skiftehastigheder
Lav modstand ved tændt
Uden sekundær afbrydelse
Lav indgangs- og udgangslækage
Høj indgangsimpedans
100 pF typisk lav indgangskapacitet
Hurtige skiftehastigheder
Lav modstand ved tændt
Uden sekundær afbrydelse
Lav indgangs- og udgangslækage
Egenskaber
Attribute | Value |
|---|---|
| Kanaltype | N |
| Drain source spænding maks. | 60 V |
| Kapslingstype | TO-92 |
| Monteringstype | Hulmontering |