Microchip Type N-Kanal, MOSFET, 250 mA 300 V MOSFET, 3 Ben, SOT-23 Nej

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*

Kr. 5.904,00

(ekskl. moms)

Kr. 7.380,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 23. februar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
3000 +Kr. 1,968Kr. 5.904,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
264-8916
Producentens varenummer:
TN2130K1-G
Brand:
Microchip
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Microchip

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

250mA

Drain source spænding maks. Vds

300V

Emballagetype

SOT-23

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Kanalform

MOSFET

Effektafsættelse maks. Pd

0.36W

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

Microchips N-kanal MOSFET med lav tærskel-forbedringstilstand (normalt slukket) udnytter en vertikal DMOS-struktur og gennemprøvet fremstillingsproces med silicium-gate. Denne kombination frembringer en enhed med effekthåndteringsmulighederne for bipolære transistorer og den høje indgangsimpedans og positive temperaturkoefficient, der er iboende i MOS-enheder. Denne enhed er karakteristisk for alle MOS-strukturer og er fri for termisk flugt og termisk induceret sekundær sammenbrud. Vertikale DMOS FET'er er ideelle til en bred vifte af koblings- og forstærkningsanvendelser, hvor meget lav tærskelspænding, høj nedbrydningsspænding, høj indgangsimpedans, lav indgangskapacitet og hurtige koblingshastigheder ønskes.

Uden sekundær afbrydelse

Krav til drev med lavt strømforbrug

Let parallellering

Lav CISS og hurtig skiftehastighed

Fremragende termisk stabilitet

Integreret kilde-drain-diode

Høj indgangsimpedans og høj forstærkning

Relaterede links