Microchip Type N-Kanal, MOSFET, 0.6 A 100 V MOSFET, 3 Ben, SOT-23, VN2110 Nej

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*

Kr. 9.639,00

(ekskl. moms)

Kr. 12.048,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 09. februar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
3000 +Kr. 3,213Kr. 9.639,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
264-8942
Producentens varenummer:
VN2110K1-G
Brand:
Microchip
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Microchip

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

0.6A

Drain source spænding maks. Vds

100V

Emballagetype

SOT-23

Serie

VN2110

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

6Ω

Kanalform

MOSFET

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

0.36W

Portkildespænding maks.

20 V

Driftstemperatur maks.

150°C

Bredde

1.3 mm

Højde

1.12mm

Standarder/godkendelser

No

Længde

2.9mm

Bilindustristandarder

Nej

Microchip P-Channel MOSFET med lav tærskel, forbedringstilstand (normalt slukket) anvender en vertikal DMOS-struktur og en velprøvet siliciumgate-fremstillingsproces. Denne kombination frembringer en enhed med effekthåndteringsmulighederne for bipolære transistorer og den høje indgangsimpedans og positive temperaturkoefficient, der er iboende i MOS-enheder. Denne enhed er karakteristisk for alle MOS-strukturer og er fri for termisk flugt og termisk induceret sekundær sammenbrud. Vertikale DMOS FET'er er ideelle til en bred vifte af koblings- og forstærkningsanvendelser, hvor meget lav tærskelspænding, høj nedbrydningsspænding, høj indgangsimpedans, lav indgangskapacitet og hurtige koblingshastigheder ønskes.

Uden sekundær afbrydelse

Krav til drev med lavt strømforbrug

Let parallellering

Lav CISS og hurtig skiftehastighed

Høj indgangsimpedans og høj forstærkning

Relaterede links