Microchip N-Kanal, MOSFET, 600 mA 100 V MOSFET, 3 Ben, SOT-23, VN2110
- RS-varenummer:
- 264-8943
- Producentens varenummer:
- VN2110K1-G
- Brand:
- Microchip
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 43,08
(ekskl. moms)
Kr. 53,85
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 1.970 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | Kr. 4,308 | Kr. 43,08 |
| 50 - 90 | Kr. 4,219 | Kr. 42,19 |
| 100 - 240 | Kr. 2,281 | Kr. 22,81 |
| 250 - 990 | Kr. 2,244 | Kr. 22,44 |
| 1000 + | Kr. 2,192 | Kr. 21,92 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 264-8943
- Producentens varenummer:
- VN2110K1-G
- Brand:
- Microchip
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Microchip | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 600mA | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Emballagetype | SOT-23 | |
| Serie | VN2110 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 6Ω | |
| Kanalform | MOSFET | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 0.36W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 1.12mm | |
| Længde | 2.9mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 1.3mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Microchip | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 600mA | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Emballagetype SOT-23 | ||
Serie VN2110 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 6Ω | ||
Kanalform MOSFET | ||
Effektafsættelse maks. Pd 0.36W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 1.12mm | ||
Længde 2.9mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 1.3mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Microchip P-Channel MOSFET med lav tærskel, forbedringstilstand (normalt slukket) anvender en vertikal DMOS-struktur og en velprøvet siliciumgate-fremstillingsproces. Denne kombination frembringer en enhed med effekthåndteringsmulighederne for bipolære transistorer og den høje indgangsimpedans og positive temperaturkoefficient, der er iboende i MOS-enheder. Denne enhed er karakteristisk for alle MOS-strukturer og er fri for termisk flugt og termisk induceret sekundær sammenbrud. Vertikale DMOS FET'er er ideelle til en bred vifte af koblings- og forstærkningsanvendelser, hvor meget lav tærskelspænding, høj nedbrydningsspænding, høj indgangsimpedans, lav indgangskapacitet og hurtige koblingshastigheder ønskes.
Uden sekundær afbrydelse
Krav til drev med lavt strømforbrug
Let parallellering
Lav CISS og hurtig skiftehastighed
Høj indgangsimpedans og høj forstærkning
Relaterede links
- Microchip N-Kanal 0.6 A 100 V MOSFET SOT-23, VN2110
- Microchip Type P-Kanal 0.6 A 40 V MOSFET SOT-23
- Microchip N-Kanal 140 mA 240 V MOSFET SOT-23
- Microchip N-Kanal 250 mA 300 V MOSFET SOT-23
- Microchip N-Kanal 230 mA 350 V MOSFET SOT-23, TN5335
- Microchip N-Kanal 135 mA 350 V Udtømning SOT-23, DN3135
- Microchip N-Kanal 280 mA 60 V Forbedring SOT-23, TN2106
- Microchip N-Kanal 13 mA 500 V Udtømning SOT-23, LND150