Microchip Type N-Kanal, MOSFET, 0.6 A 100 V MOSFET, 3 Ben, SOT-23, VN2110 Nej VN2110K1-G

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 10 enheder)*

Kr. 43,08

(ekskl. moms)

Kr. 53,85

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 2.220 enhed(er) afsendes fra 05. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
10 - 40Kr. 4,308Kr. 43,08
50 - 90Kr. 4,219Kr. 42,19
100 - 240Kr. 2,281Kr. 22,81
250 - 990Kr. 2,244Kr. 22,44
1000 +Kr. 2,192Kr. 21,92

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
264-8943
Producentens varenummer:
VN2110K1-G
Brand:
Microchip
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Microchip

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

0.6A

Drain source spænding maks. Vds

100V

Serie

VN2110

Emballagetype

SOT-23

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

6Ω

Kanalform

MOSFET

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

0.36W

Portkildespænding maks.

20 V

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Længde

2.9mm

Bredde

1.3 mm

Højde

1.12mm

Bilindustristandarder

Nej

Microchip P-Channel MOSFET med lav tærskel, forbedringstilstand (normalt slukket) anvender en vertikal DMOS-struktur og en velprøvet siliciumgate-fremstillingsproces. Denne kombination frembringer en enhed med effekthåndteringsmulighederne for bipolære transistorer og den høje indgangsimpedans og positive temperaturkoefficient, der er iboende i MOS-enheder. Denne enhed er karakteristisk for alle MOS-strukturer og er fri for termisk flugt og termisk induceret sekundær sammenbrud. Vertikale DMOS FET'er er ideelle til en bred vifte af koblings- og forstærkningsanvendelser, hvor meget lav tærskelspænding, høj nedbrydningsspænding, høj indgangsimpedans, lav indgangskapacitet og hurtige koblingshastigheder ønskes.

Uden sekundær afbrydelse

Krav til drev med lavt strømforbrug

Let parallellering

Lav CISS og hurtig skiftehastighed

Høj indgangsimpedans og høj forstærkning

Relaterede links