Microchip N-Kanal, MOSFET 240 V, SOT-89 TN2524N8-G
- RS-varenummer:
- 264-8919
- Producentens varenummer:
- TN2524N8-G
- Brand:
- Microchip
1395 På lager for afsendelse samme dag
Dag til dag levering ikke mulig
Tilføjet
Pris pr. stk. (Leveres i pakke af 5)
Kr. 10,666
(ekskl. moms)
Kr. 13,332
(inkl. moms)
| Enheder | Pr stk. | Pr pakke* |
| 5 - 45 | Kr. 10,666 | Kr. 53,33 |
| 50 - 95 | Kr. 8,932 | Kr. 44,66 |
| 100 - 245 | Kr. 7,988 | Kr. 39,94 |
| 250 - 995 | Kr. 7,824 | Kr. 39,12 |
| 1000 + | Kr. 7,674 | Kr. 38,37 |
- RS-varenummer:
- 264-8919
- Producentens varenummer:
- TN2524N8-G
- Brand:
- Microchip
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Microchips N-kanal MOSFET med lav tærskel-forbedringstilstand (normalt slukket) udnytter en vertikal DMOS-struktur og gennemprøvet fremstillingsproces med silicium-gate. Denne kombination frembringer en enhed med effekthåndteringsmulighederne for bipolære transistorer og med den høje indgangsimpedans og positive temperaturkoefficient, der er iboende i MOS-enheder. Denne enhed er karakteristisk for alle MOS-strukturer og er fri for termisk flugt og termisk induceret sekundær sammenbrud. Vertikale DMOS FET'er er ideelle til en bred vifte af koblings- og forstærkningsanvendelser, hvor meget lav tærskelspænding, høj nedbrydningsspænding, høj indgangsimpedans, lav indgangskapacitet og hurtige koblingshastigheder ønskes.
Lav tærskelværdi (2,0 V maks.)
Høj indgangsimpedans
Lav indgangskapacitet (125 pF maks.)
Hurtige skiftehastigheder
Lav modstand ved tændt
Uden sekundær afbrydelse
Lav indgangs- og udgangslækage
Høj indgangsimpedans
Lav indgangskapacitet (125 pF maks.)
Hurtige skiftehastigheder
Lav modstand ved tændt
Uden sekundær afbrydelse
Lav indgangs- og udgangslækage
Egenskaber
Attribute | Value |
|---|---|
| Kanaltype | N |
| Drain source spænding maks. | 240 V |
| Kapslingstype | SOT-89 |
| Monteringstype | Hulmontering |