Microchip N-Kanal, MOSFET 240 V, SOT-89 TN2524N8-G
- RS-varenummer:
- 264-8919P
- Producentens varenummer:
- TN2524N8-G
- Brand:
- Microchip
1395 På lager for afsendelse samme dag
Dag til dag levering ikke mulig
Pris pr. stk. Pr. stk. (Leveres på en Strip) Quantities below 150 on continuous strip
Kr. 8,932
(ekskl. moms)
Kr. 11,165
(inkl. moms)
| Enheder | Pr stk. |
| 50 - 95 | Kr. 8,932 |
| 100 - 245 | Kr. 7,988 |
| 250 - 995 | Kr. 7,824 |
| 1000 + | Kr. 7,674 |
- RS-varenummer:
- 264-8919P
- Producentens varenummer:
- TN2524N8-G
- Brand:
- Microchip
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Microchips N-kanal MOSFET med lav tærskel-forbedringstilstand (normalt slukket) udnytter en vertikal DMOS-struktur og gennemprøvet fremstillingsproces med silicium-gate. Denne kombination frembringer en enhed med effekthåndteringsmulighederne for bipolære transistorer og med den høje indgangsimpedans og positive temperaturkoefficient, der er iboende i MOS-enheder. Denne enhed er karakteristisk for alle MOS-strukturer og er fri for termisk flugt og termisk induceret sekundær sammenbrud. Vertikale DMOS FET'er er ideelle til en bred vifte af koblings- og forstærkningsanvendelser, hvor meget lav tærskelspænding, høj nedbrydningsspænding, høj indgangsimpedans, lav indgangskapacitet og hurtige koblingshastigheder ønskes.
Lav tærskelværdi (2,0 V maks.)
Høj indgangsimpedans
Lav indgangskapacitet (125 pF maks.)
Hurtige skiftehastigheder
Lav modstand ved tændt
Uden sekundær afbrydelse
Lav indgangs- og udgangslækage
Høj indgangsimpedans
Lav indgangskapacitet (125 pF maks.)
Hurtige skiftehastigheder
Lav modstand ved tændt
Uden sekundær afbrydelse
Lav indgangs- og udgangslækage
Egenskaber
Attribute | Value |
|---|---|
| Kanaltype | N |
| Drain source spænding maks. | 240 V |
| Kapslingstype | SOT-89 |
| Monteringstype | Hulmontering |