Microchip Type P-Kanal, MOSFET, -175 A 200 V Forbedring, 3 Ben, TO-92, TP0620 Nej

Se alle MOSFET

Indhold (1 pose af 1000 enheder)*

Kr. 9.425,00

(ekskl. moms)

Kr. 11.781,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 09. februar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pose*
1000 +Kr. 9,425Kr. 9.425,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
264-8926
Producentens varenummer:
TP0620N3-G
Brand:
Microchip
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Microchip

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type P

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

-175A

Drain source spænding maks. Vds

200V

Serie

TP0620

Emballagetype

TO-92

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

1W

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

20 V

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Bilindustristandarder

Nej

Microchip P-Channel MOSFET med lav tærskel, forbedringstilstand (normalt slukket) anvender en vertikal DMOS-struktur og en velprøvet siliciumgate-fremstillingsproces. Denne kombination frembringer en enhed med effekthåndteringsmulighederne for bipolære transistorer og den høje indgangsimpedans og positive temperaturkoefficient, der er iboende i MOS-enheder. Denne enhed er karakteristisk for alle MOS-strukturer og er fri for termisk flugt og termisk induceret sekundær sammenbrud. Vertikale DMOS FET'er er ideelle til en bred vifte af koblings- og forstærkningsanvendelser, hvor meget lav tærskelspænding, høj nedbrydningsspænding, høj indgangsimpedans, lav indgangskapacitet og hurtige koblingshastigheder ønskes.

Lav tærskelværdi (-2,4 V maks.)

Høj indgangsimpedans

Lav indgangskapacitet (85 pF typisk)

Hurtige skiftehastigheder

Lav modstand ved tændt

Uden sekundær afbrydelse

Lav indgangs- og udgangslækage

Relaterede links