Microchip Type P-Kanal, MOSFET, 10.3 A 650 V Forbedring, 3 Ben, TO-92, VP2206
- RS-varenummer:
- 239-5620
- Producentens varenummer:
- VP2206N3-G
- Brand:
- Microchip
Indhold (1 bakke af 1000 enheder)*
Kr. 12.477,00
(ekskl. moms)
Kr. 15.596,00
(inkl. moms)
Tilføj 1000 enheder for at opnå gratis levering
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 13. april 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr bakke* |
|---|---|---|
| 1000 + | Kr. 12,477 | Kr. 12.477,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 239-5620
- Producentens varenummer:
- VP2206N3-G
- Brand:
- Microchip
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Microchip | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type P | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 10.3A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Serie | VP2206 | |
| Emballagetype | TO-92 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 8Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 30 V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.8V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 140W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Microchip | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type P | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 10.3A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Serie VP2206 | ||
Emballagetype TO-92 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 8Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 30 V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.8V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 140W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Microchip VP2206 serien er forstærknings-mode (normalt fra) transistorer, som anvender en lodret DMOS-struktur og Supertex's gennemprøvede siliciumgate-fremstillingsproces. Denne kombination producerer en enhed med effekthåndteringsfunktionerne for bipolære transistorer med høj indgangsimpedans og positiv temperaturkoefficient integreret i MOS-enheder. Denne enhed, der er karakteristisk for alle MOS-strukturer, er fri for termisk runaway og termisk induceret sekundært nedbrud. Disse vertikale DMO FET'er er velegnede til en lang række anvendelser med skift og forstærkning, hvor der ønskes meget lav tærskelspænding, høj gennemslagsspænding, høj indgangsimpedans, lav indgangskapacitet og hurtige skiftehastigheder.
Den har en fri fra sekundær nedbrydning
Det kræver et lavt effektforbrug
Det giver mulighed for at køre parallelt, lave CISS og hurtige skiftehastigheder
Den har høj indgangsimpedans og høj forstærkning med fremragende termisk stabilitet
Den har en indbygget kilde-til-dræn diode
Relaterede links
- Microchip Type P-Kanal 10.3 A 650 V Forbedring TO-92, VP2206
- Microchip Type N-Kanal 10.3 A 650 V Forbedring TO-92, TN5325
- Microchip Type P-Kanal 3 Ben VP3203
- Microchip Type P-Kanal 3 Ben LP0701
- Microchip Type P-Kanal 250 mA 60 V Forbedring TO-92
- Microchip Type P-Kanal 175 mA 40 V Forbedring TO-92
- Microchip Type P-Kanal -175 A 200 V Forbedring TO-92, TP0620
- Microchip Type P-Kanal 140 A 30 V Forbedring TO-92, VP0109