Microchip Type N-Kanal, MOSFET, 640 mA 30 V Forbedring, 3 Ben, TO-92, VN0300

RS-varenummer:: 177-9705
Producentens varenummer:: VN0300L-G
Brand:: Microchip

Microchip Type N-Kanal, MOSFET, 640 mA 30 V Forbedring, 3 Ben, TO-92, VN0300

Indhold (1 pose af 1000 enheder)*

Kr. 7.145,00

(ekskl. moms)

Kr. 8.931,00

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.

Midlertidigt ikke på lager

Afsendelse fra 15. april 2026

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr pose*
1000 +	Kr. 7,145	Kr. 7.145,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 177-9705
Producentens varenummer:: VN0300L-G
Brand:: Microchip

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Microchip
	Produkttype	MOSFET
	Kanaltype	Type N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	640mA
	Drain source spænding maks. Vds	30V
	Emballagetype	TO-92
	Serie	VN0300
	Monteringstype	Hulmontering
	Benantal	3
	Drain source modstand maks. Rds	3.3Ω
	Kanalform	Forbedring
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Effektafsættelse maks. Pd	1W
	Portkildespænding maks.	30 V
	Gennemgangsspænding Vf	0.9V
	Driftstemperatur maks.	150°C
	Bredde	4.06 mm
	Højde	5.33mm
	Længde	5.08mm
	Standarder/godkendelser	No
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand Microchip
	Produkttype MOSFET
	Kanaltype Type N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 640mA
	Drain source spænding maks. Vds 30V
	Emballagetype TO-92
	Serie VN0300
	Monteringstype Hulmontering
	Benantal 3
	Drain source modstand maks. Rds 3.3Ω
	Kanalform Forbedring
	Min. driftstemperatur -55°C
	Effektafsættelse maks. Pd 1W
	Portkildespænding maks. 30 V
	Gennemgangsspænding Vf 0.9V
	Driftstemperatur maks. 150°C
	Bredde 4.06 mm
	Højde 5.33mm
	Længde 5.08mm
	Standarder/godkendelser No
	Bilindustristandarder Nej

Datasheet

COO (Country of Origin):: TW

Microchip Technology MOSFET

Microchip Technology N-channel MOSFET til montering gennem hul er et nyt aldersprodukt med en kildespænding på 30 V og en maksimal gate-source-spænding på 30 V. Den har en modstand på 1,2 ohm ved en gate-source-spænding på 10 V. Den har konstant drænstrøm på 640 mA og maksimal effekttab på 1 W. Min. og maks. drivspænding for dette MOSFET er henholdsvis 5 V og 10 V. MOSFET er en forstærkningstilstand (normalt slukket) MOSFET, der anvender en vertikal DMOS-struktur og en gennemprøvet siliciumgate-produktionsproces. Denne kombination producerer en enhed med effekthåndteringsfunktionerne for bipolære transistorer med høj indgangsimpedans og positiv temperaturkoefficient integreret i MOS-enheder. Denne anordning er en vaesentlig egenskab ved alle MOS-konstruktioner og er fri for termisk start og termisk induceret sekundaer nedbrydning. Denne vertikale DMOS FET er optimeret til lavere koblings- og ledningstab. MOSFET tilbyder fremragende effektivitet sammen med en lang og produktiv levetid uden at gå på kompromis med ydeevne eller funktionalitet.

Egenskaber og fordele

• Sig af parallelkobling

• Fremragende termisk stabilitet

• Frie fra sekundær nedbrydning

• Høj indgangsimpedans og høj forstærkning

• Integreret kildedrændiode

• Lav CISS og hurtige omskiftningshastigheder

• Krav til lavt effektdrev

• Driftstemperaturområdet ligger mellem -55°C og 150°C.

Anvendelsesområder

• Forstærkere

• Konvertere

• Drivere: Relæer, hamre, magnetventiler, lamper, minder, displays, bipolære transistorer osv.

• Motorstyringer

• Strømforsyningskredsløb

• Switche

Certifikater

• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• JEDEC