Microchip Type N-Kanal, MOSFET, 200 mA 60 V Forbedring, 3 Ben, TO-92, 2N7000

RS-varenummer:: 177-9588
Producentens varenummer:: 2N7000-G
Brand:: Microchip

Microchip Type N-Kanal, MOSFET, 200 mA 60 V Forbedring, 3 Ben, TO-92, 2N7000

Indhold (1 pose af 1000 enheder)*

Kr. 2.493,00

(ekskl. moms)

Kr. 3.116,00

(inkl. moms)

Tilføj 1000 enheder for at opnå gratis levering

Ordrer under Kr. 500,00 (ekskl. moms) koster Kr. 99,00.

På lager

3.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr pose*
1000 +	Kr. 2,493	Kr. 2.493,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 177-9588
Producentens varenummer:: 2N7000-G
Brand:: Microchip

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Microchip
	Kanaltype	Type N
	Produkttype	MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	200mA
	Drain source spænding maks. Vds	60V
	Emballagetype	TO-92
	Serie	2N7000
	Monteringstype	Hulmontering
	Benantal	3
	Drain source modstand maks. Rds	5.3Ω
	Kanalform	Forbedring
	Gennemgangsspænding Vf	0.85V
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Portkildespænding maks.	30 V
	Effektafsættelse maks. Pd	1W
	Driftstemperatur maks.	150°C
	Bredde	4.06 mm
	Højde	5.33mm
	Længde	5.08mm
	Standarder/godkendelser	No
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand Microchip
	Kanaltype Type N
	Produkttype MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 200mA
	Drain source spænding maks. Vds 60V
	Emballagetype TO-92
	Serie 2N7000
	Monteringstype Hulmontering
	Benantal 3
	Drain source modstand maks. Rds 5.3Ω
	Kanalform Forbedring
	Gennemgangsspænding Vf 0.85V
	Min. driftstemperatur -55°C
	Portkildespænding maks. 30 V
	Effektafsættelse maks. Pd 1W
	Driftstemperatur maks. 150°C
	Bredde 4.06 mm
	Højde 5.33mm
	Længde 5.08mm
	Standarder/godkendelser No
	Bilindustristandarder Nej

Datasheet

COO (Country of Origin):: TW

Microchip Technology MOSFET

Microchip Technology N-channel MOSFET til montering gennem hul er et nyt aldersprodukt med en kildespænding på 60 V og en maksimal gate-source-spænding på 30 V. Den har en modstand på 5 ohm ved en gate-source-spænding på 10 V. Den har konstant drænstrøm på 200 mA og maksimal effekttab på 1 W. Min. og maks. drivspænding for dette MOSFET er henholdsvis 4,5 V og 10 V. MOSFET er en forstærkningstilstand (normalt slukket) MOSFET, der anvender en vertikal DMOS-struktur og en gennemprøvet siliciumgate-produktionsproces. Denne kombination producerer en enhed med effekthåndteringsfunktionerne for bipolære transistorer med høj indgangsimpedans og positiv temperaturkoefficient integreret i MOS-enheder. Denne anordning er en vaesentlig egenskab ved alle MOS-konstruktioner og er fri for termisk start og termisk induceret sekundaer nedbrydning. Denne vertikale DMOS FET er optimeret til lavere koblings- og ledningstab. MOSFET tilbyder fremragende effektivitet sammen med en lang og produktiv levetid uden at gå på kompromis med ydeevne eller funktionalitet.

Egenskaber og fordele

• Sig af parallelkobling

• Fremragende termisk stabilitet

• Frie fra sekundær nedbrydning

• Høj indgangsimpedans og høj forstærkning

• Integreret kildedrændiode

• Lav CISS og hurtige omskiftningshastigheder

• Krav til lavt effektdrev

• Driftstemperaturområdet ligger mellem -55°C og 150°C.

Anvendelsesområder

• Forstærkere

• Konvertere

• Drivere: Relæer, hamre, magnetventiler, lamper, minder, displays, bipolære transistorer osv.

• Motorstyringer

• Strømforsyningskredsløb

• Switche

Certifikater

• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• JEDEC