Microchip Type N-Kanal, MOSFET, 200 mA 60 V Forbedring, 3 Ben, TO-92, 2N7000 Nej

Se alle MOSFET

Indhold (1 pose af 1000 enheder)*

Kr. 2.424,00

(ekskl. moms)

Kr. 3.030,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • 3.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pose*
1000 +Kr. 2,424Kr. 2.424,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
177-9588
Producentens varenummer:
2N7000-G
Brand:
Microchip
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Microchip

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

200mA

Drain source spænding maks. Vds

60V

Serie

2N7000

Emballagetype

TO-92

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

5.3Ω

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

0.85V

Effektafsættelse maks. Pd

1W

Portkildespænding maks.

30 V

Driftstemperatur maks.

150°C

Højde

5.33mm

Standarder/godkendelser

No

Bredde

4.06 mm

Længde

5.08mm

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
TW

Microchip Technology MOSFET


Microchip Technology N-channel MOSFET til montering gennem hul er et nyt aldersprodukt med en kildespænding på 60 V og en maksimal gate-source-spænding på 30 V. Den har en modstand på 5 ohm ved en gate-source-spænding på 10 V. Den har konstant drænstrøm på 200 mA og maksimal effekttab på 1 W. Min. og maks. drivspænding for dette MOSFET er henholdsvis 4,5 V og 10 V. MOSFET er en forstærkningstilstand (normalt slukket) MOSFET, der anvender en vertikal DMOS-struktur og en gennemprøvet siliciumgate-produktionsproces. Denne kombination producerer en enhed med effekthåndteringsfunktionerne for bipolære transistorer med høj indgangsimpedans og positiv temperaturkoefficient integreret i MOS-enheder. Denne anordning er en vaesentlig egenskab ved alle MOS-konstruktioner og er fri for termisk start og termisk induceret sekundaer nedbrydning. Denne vertikale DMOS FET er optimeret til lavere koblings- og ledningstab. MOSFET tilbyder fremragende effektivitet sammen med en lang og produktiv levetid uden at gå på kompromis med ydeevne eller funktionalitet.

Egenskaber og fordele


• Sig af parallelkobling

• Fremragende termisk stabilitet

• Frie fra sekundær nedbrydning

• Høj indgangsimpedans og høj forstærkning

• Integreret kildedrændiode

• Lav CISS og hurtige omskiftningshastigheder

• Krav til lavt effektdrev

• Driftstemperaturområdet ligger mellem -55°C og 150°C.

Anvendelsesområder


• Forstærkere

• Konvertere

• Drivere: Relæer, hamre, magnetventiler, lamper, minder, displays, bipolære transistorer osv.

• Motorstyringer

• Strømforsyningskredsløb

• Switche

Certifikater


• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• JEDEC

Relaterede links