Microchip Type N-Kanal, MOSFET, 310 mA 60 V Forbedring, 3 Ben, TO-92, VN10K Nej VN10KN3-G

RS-varenummer:: 177-9716
Producentens varenummer:: VN10KN3-G
Brand:: Microchip

Microchip Type N-Kanal, MOSFET, 310 mA 60 V Forbedring, 3 Ben, TO-92, VN10K Nej VN10KN3-G

Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 25 enheder)*

Kr. 82,125

(ekskl. moms)

Kr. 102,65

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.

På lager

100 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Plus 650 enhed(er) afsendes fra 07. januar 2026

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr pakke*
25 - 75	Kr. 3,285	Kr. 82,13
100 +	Kr. 3,052	Kr. 76,30

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 177-9716
Producentens varenummer:: VN10KN3-G
Brand:: Microchip

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Microchip
	Kanaltype	Type N
	Produkttype	MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	310mA
	Drain source spænding maks. Vds	60V
	Emballagetype	TO-92
	Serie	VN10K
	Monteringstype	Hulmontering
	Benantal	3
	Drain source modstand maks. Rds	7.5Ω
	Kanalform	Forbedring
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Portkildespænding maks.	30 V
	Effektafsættelse maks. Pd	1W
	Gennemgangsspænding Vf	0.8V
	Driftstemperatur maks.	150°C
	Bredde	4.06 mm
	Højde	5.33mm
	Standarder/godkendelser	No
	Længde	5.08mm
	Distrelec Product Id	304-38-572
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand Microchip
	Kanaltype Type N
	Produkttype MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 310mA
	Drain source spænding maks. Vds 60V
	Emballagetype TO-92
	Serie VN10K
	Monteringstype Hulmontering
	Benantal 3
	Drain source modstand maks. Rds 7.5Ω
	Kanalform Forbedring
	Min. driftstemperatur -55°C
	Portkildespænding maks. 30 V
	Effektafsættelse maks. Pd 1W
	Gennemgangsspænding Vf 0.8V
	Driftstemperatur maks. 150°C
	Bredde 4.06 mm
	Højde 5.33mm
	Standarder/godkendelser No
	Længde 5.08mm
	Distrelec Product Id 304-38-572
	Bilindustristandarder Nej

Datasheet

Microchip Technology MOSFET

Microchip Technology N-channel MOSFET til montering gennem hul er et nyt aldersprodukt med en drænkildemodstand på 5 ohm ved en gate-source-spænding på 10 V. Den har en drænkildespænding på 60 V og en maksimal gate-kildespænding på 30 V. Den har konstant drænstrøm på 310 mA og maksimal effekttab på 1 W. Minimum- og maksimumspændingen for denne transistor er henholdsvis 5 V og 10 V. MOSFET er en transistor (normalt off), der anvender en vertikal DMOS-struktur og en gennemprøvet siliciumgate-produktionsproces. Denne kombination producerer en enhed med effekthåndteringsfunktionerne for bipolære transistorer med høj indgangsimpedans og positiv temperaturkoefficient integreret i MOS-enheder. Denne anordning er en vaesentlig egenskab ved alle MOS-konstruktioner og er fri for termisk start og termisk induceret sekundaer nedbrydning. Denne vertikale DMOS FET er optimeret til lavere koblings- og ledningstab. MOSFET tilbyder fremragende effektivitet sammen med en lang og produktiv levetid uden at gå på kompromis med ydeevne eller funktionalitet.

Egenskaber og fordele

• Sig af parallelkobling

• Fremragende termisk stabilitet

• Frie fra sekundær nedbrydning

• Høj indgangsimpedans og høj forstærkning

• Integreret kildedrændiode

• Lav CISS og hurtige omskiftningshastigheder

• Krav til lavt effektdrev

• Driftstemperaturområdet ligger mellem -55°C og 150°C.

Anvendelsesområder

• Forstærkere

• Konvertere

• drivere (relæer, hamre, magnetventiler, lamper, minder, displays, bipolære transistorer osv.)

• Motorstyreenheder

• Strømforsyningskredsløb

• Switche

Certifikater

• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• JEDEC