Microchip Type N-Kanal, MOSFET, 10.3 A 650 V Forbedring, 3 Ben, TO-92, TN5325 Nej

Se alle MOSFET

Indhold (1 bakke af 3000 enheder)*

Kr. 10.233,00

(ekskl. moms)

Kr. 12.792,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 17. februar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr bakke*
3000 +Kr. 3,411Kr. 10.233,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
239-5617
Producentens varenummer:
TN5325K1-G
Brand:
Microchip
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Microchip

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

10.3A

Drain source spænding maks. Vds

650V

Emballagetype

TO-92

Serie

TN5325

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

8Ω

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

1.8V

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

30 V

Effektafsættelse maks. Pd

140W

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

Microchip TN5325-serien af lavtærskel-, forbedrings- (normalt off) transistor anvender en vertikal DMOS-struktur og en gennemprøvet siliciumgate-fremstillingsproces. Denne kombination producerer en enhed med effekthåndteringsfunktionerne for bipolære transistorer med høj indgangsimpedans og positiv temperaturkoefficient integreret i MOS-enheder. Denne enhed, der har karakteristik af alle MOS-strukturer, er fri for termisk runaway og termisk induceret sekundært nedbrud.

Lav tærskel på maks. 2 V.

Høj indgangsimpedans og høj forstærkning

Stigetid på 15 ns

Slukningsforsinkelsestid på 25 ns

Faldetid på 25 ns

Relaterede links