Microchip Type P-Kanal, MOSFET, 10.3 A 650 V Forbedring, 3 Ben, TO-92, VP2206 Nej VP2206N3-G
- RS-varenummer:
- 239-5621
- Producentens varenummer:
- VP2206N3-G
- Brand:
- Microchip
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 88,41
(ekskl. moms)
Kr. 110,51
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 45 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
- Plus 455 enhed(er) afsendes fra 13. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 17,682 | Kr. 88,41 |
| 50 - 95 | Kr. 14,646 | Kr. 73,23 |
| 100 - 245 | Kr. 13,27 | Kr. 66,35 |
| 250 - 495 | Kr. 13,00 | Kr. 65,00 |
| 500 + | Kr. 12,746 | Kr. 63,73 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 239-5621
- Producentens varenummer:
- VP2206N3-G
- Brand:
- Microchip
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Microchip | |
| Kanaltype | Type P | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 10.3A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Emballagetype | TO-92 | |
| Serie | VP2206 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 8Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 140W | |
| Portkildespænding maks. | 30 V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.8V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Microchip | ||
Kanaltype Type P | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 10.3A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Emballagetype TO-92 | ||
Serie VP2206 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 8Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 140W | ||
Portkildespænding maks. 30 V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.8V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Microchip VP2206 serien er forstærknings-mode (normalt fra) transistorer, som anvender en lodret DMOS-struktur og Supertex's gennemprøvede siliciumgate-fremstillingsproces. Denne kombination producerer en enhed med effekthåndteringsfunktionerne for bipolære transistorer med høj indgangsimpedans og positiv temperaturkoefficient integreret i MOS-enheder. Denne enhed, der er karakteristisk for alle MOS-strukturer, er fri for termisk runaway og termisk induceret sekundært nedbrud. Disse vertikale DMO FET'er er velegnede til en lang række anvendelser med skift og forstærkning, hvor der ønskes meget lav tærskelspænding, høj gennemslagsspænding, høj indgangsimpedans, lav indgangskapacitet og hurtige skiftehastigheder.
Den har en fri fra sekundær nedbrydning
Det kræver et lavt effektforbrug
Det giver mulighed for at køre parallelt, lave CISS og hurtige skiftehastigheder
Den har høj indgangsimpedans og høj forstærkning med fremragende termisk stabilitet
Den har en indbygget kilde-til-dræn diode
Relaterede links
- Microchip Type P-Kanal 10.3 A 650 V Forbedring TO-92, VP2206 Nej
- Microchip Type N-Kanal 10.3 A 650 V Forbedring TO-92, TN5325 Nej
- Microchip Type N-Kanal 10.3 A 650 V Forbedring TO-92, TN5325 Nej TN5325K1-G
- Microchip Type P-Kanal 3 Ben VP3203 Nej VP3203N3-G
- Microchip Type P-Kanal 3 Ben LP0701 Nej LP0701N3-G
- Microchip Type P-Kanal 175 mA 40 V Forbedring TO-92 Nej
- Microchip Type P-Kanal 250 mA 60 V Forbedring TO-92 Nej
- Microchip Type P-Kanal -175 A 200 V Forbedring TO-92, TP0620 Nej