Microchip Type P-Kanal, MOSFET, 140 A 30 V Forbedring, 3 Ben, TO-92, VP0106

Se alle MOSFET

Indhold (1 pose af 1000 enheder)*

Kr. 5.395,00

(ekskl. moms)

Kr. 6.744,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 28. april 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pose*
1000 +Kr. 5,395Kr. 5.395,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
236-8961
Producentens varenummer:
VP0106N3-G
Brand:
Microchip
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Microchip

Kanaltype

Type P

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

140A

Drain source spænding maks. Vds

30V

Serie

VP0106

Emballagetype

TO-92

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

8mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

20 V

Gennemgangsspænding Vf

1.8V

Effektafsættelse maks. Pd

1.6W

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

Microchip-forstærknings-mode normalt off-transistoren anvender en vertikal DMOS-struktur og Supertex's gennemprøvede siliciumgate-fremstillingsproces. Denne kombination producerer en enhed med effekthåndteringsfunktionerne for bipolære transistorer med høj indgangsimpedans og positiv temperaturkoefficient integreret i MOS-enheder. Denne enhed, der er karakteristisk for alle MOS-strukturer, er fri for termisk runaway og termisk induceret sekundært nedbrud. De vertikale DMO FET'er er velegnede til en lang række anvendelser med skift og forstærkning, hvor der ønskes meget lav tærskelspænding, høj gennemslagsspænding, høj indgangsimpedans, lav indgangskapacitet og hurtige skiftehastigheder.

Fri for sekundære nedbrud

Lavt krav til strømdrev

Nem parallelopsætning

Lav CISS og hurtigt skiftende hastigheder

God termisk stabilitet

Integreret source-drain-diode

Høj indgangsimpedans og høj forstærkning

Relaterede links