Microchip Type P-Kanal, MOSFET, -500 mA 40 V MOSFET, 3 Ben, TO-92, VP0104
- RS-varenummer:
- 264-8949P
- Producentens varenummer:
- VP0104N3-G
- Brand:
- Microchip
Der er mulighed for mængderabat
Indhold 50 enheder (leveres i en pose)*
Kr. 336,95
(ekskl. moms)
Kr. 421,20
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 280 enhed(er) afsendes fra 19. februar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 50 - 90 | Kr. 6,739 |
| 100 - 240 | Kr. 5,356 |
| 250 - 490 | Kr. 5,243 |
| 500 + | Kr. 5,146 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 264-8949P
- Producentens varenummer:
- VP0104N3-G
- Brand:
- Microchip
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Microchip | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type P | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | -500mA | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Emballagetype | TO-92 | |
| Serie | VP0104 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 8Ω | |
| Kanalform | MOSFET | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 1W | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 2V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Microchip | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type P | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id -500mA | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Emballagetype TO-92 | ||
Serie VP0104 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 8Ω | ||
Kanalform MOSFET | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 1W | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Gennemgangsspænding Vf 2V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Microchip P-Channel MOSFET med lav tærskel, forbedringstilstand (normalt slukket) anvender en vertikal DMOS-struktur og en velprøvet siliciumgate-fremstillingsproces. Denne kombination frembringer en enhed med effekthåndteringsmulighederne for bipolære transistorer og den høje indgangsimpedans og positive temperaturkoefficient, der er iboende i MOS-enheder. Denne enhed er karakteristisk for alle MOS-strukturer og er fri for termisk flugt og termisk induceret sekundær sammenbrud. Vertikale DMOS FET'er er ideelle til en bred vifte af koblings- og forstærkningsanvendelser, hvor meget lav tærskelspænding, høj nedbrydningsspænding, høj indgangsimpedans, lav indgangskapacitet og hurtige koblingshastigheder ønskes.
Uden sekundær afbrydelse
Krav til drev med lavt strømforbrug
Let parallellering
Lav CISS og hurtig skiftehastighed
Fremragende termisk stabilitet
Integreret kilde-drain-diode
Høj indgangsimpedans og høj forstærkning
Relaterede links
- Microchip Type P-Kanal -500 mA 40 V MOSFET TO-92, VP0104
- Microchip Type P-Kanal 250 mA 60 V Forbedring TO-92
- Microchip Type P-Kanal 175 mA 40 V Forbedring TO-92
- Microchip P-Kanal 250 mA 90 V TO-92, VP0109 VP0109N3-G
- Microchip Type N-Kanal 30 mA 500 V Udtømning TO-92, LND150
- Microchip Type P-Kanal 160 mA 500 V Forbedring SOT-89, VP2450
- Microchip Type P-Kanal 3 Ben VP3203
- Microchip Type P-Kanal 3 Ben LP0701