Microchip Type P-Kanal, MOSFET, -500 mA 40 V MOSFET, 3 Ben, TO-92, VP0104
- RS-varenummer:
- 264-8949P
- Producentens varenummer:
- VP0104N3-G
- Brand:
- Microchip
Få rabat ved storkøb
Tilføj 100 flere for at gemme Kr. 138,30
Se mængderabatterIndhold 50 enheder (leveres i en pose)*
Kr. 336,95
(ekskl. moms)
Kr. 421,20
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 100 enhed(er) afsendes fra 09. november 2026
- Plus 1.000 enhed(er) afsendes fra 24. november 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Besparelse |
|---|---|---|
| 50 - 90 | Kr. 6,739 | - |
| 100 - 240 | Kr. 5,356 | Kr. 138,30 |
| 250 - 490 | Kr. 5,243 | Kr. 374,00 |
| 500 + | Kr. 5,146 | Kr. 796,50 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 264-8949P
- Producentens varenummer:
- VP0104N3-G
- Brand:
- Microchip
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Microchip | |
| Kanaltype | Type P | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | -500mA | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Emballagetype | TO-92 | |
| Serie | VP0104 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 8Ω | |
| Kanalform | MOSFET | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 1W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 2V | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Microchip | ||
Kanaltype Type P | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id -500mA | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Emballagetype TO-92 | ||
Serie VP0104 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 8Ω | ||
Kanalform MOSFET | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 1W | ||
Gennemgangsspænding Vf 2V | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Microchip P-Channel MOSFET med lav tærskel, forbedringstilstand (normalt slukket) anvender en vertikal DMOS-struktur og en velprøvet siliciumgate-fremstillingsproces. Denne kombination frembringer en enhed med effekthåndteringsmulighederne for bipolære transistorer og den høje indgangsimpedans og positive temperaturkoefficient, der er iboende i MOS-enheder. Denne enhed er karakteristisk for alle MOS-strukturer og er fri for termisk flugt og termisk induceret sekundær sammenbrud. Vertikale DMOS FET'er er ideelle til en bred vifte af koblings- og forstærkningsanvendelser, hvor meget lav tærskelspænding, høj nedbrydningsspænding, høj indgangsimpedans, lav indgangskapacitet og hurtige koblingshastigheder ønskes.
Uden sekundær afbrydelse
Krav til drev med lavt strømforbrug
Let parallellering
Lav CISS og hurtig skiftehastighed
Fremragende termisk stabilitet
Integreret kilde-drain-diode
Høj indgangsimpedans og høj forstærkning