Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 69.4 A 60 V Forbedring, 8 Ben, PowerPAK 1212-8, SIS Nej SIS184LDN-T1-GE3
- RS-varenummer:
- 268-8342
- Producentens varenummer:
- SIS184LDN-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 63,73
(ekskl. moms)
Kr. 79,66
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Restlager hos RS
- Sidste 6.045 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 12,746 | Kr. 63,73 |
| 50 - 95 | Kr. 11,504 | Kr. 57,52 |
| 100 - 245 | Kr. 9,26 | Kr. 46,30 |
| 250 - 995 | Kr. 9,08 | Kr. 45,40 |
| 1000 + | Kr. 6,268 | Kr. 31,34 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 268-8342
- Producentens varenummer:
- SIS184LDN-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 69.4A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | PowerPAK 1212-8 | |
| Serie | SIS | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.0054Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 41nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 52W | |
| Portkildespænding maks. | ±20 V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 3.3mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 69.4A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype PowerPAK 1212-8 | ||
Serie SIS | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.0054Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 41nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 52W | ||
Portkildespænding maks. ±20 V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 3.3mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay N-kanal TrenchFET generation 5 effekt MOSFET er en bly- og halogenfri enhed. Den bruges i anvendelser som f.eks. synkron ensretning, motordrevskontakt, batteri- og belastningskontakt.
Meget lavt tal for fortjeneste
I overensstemmelse med ROHS
UIS-testet 100 procent
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 69.4 A 60 V Forbedring PowerPAK 1212-8, SIS Nej SIS184LDN-T1-GE3
- Vishay Type N-Kanal 8.8 A 100 V Forbedring PowerPAK 1212-8, SIS Nej SIS112LDN-T1-GE3
- Vishay Type N-Kanal 87 A 30 V PowerPAK 1212-8PT, SIS Nej SiSA12BDN-T1-GE3
- Vishay Type N-Kanal 58.1 A 80 V PowerPAK 1212-8S, SIS Nej SiSS588DN-T1-GE3
- Vishay Type N-Kanal 104 A 30 V PowerPAK 1212-8PT, SIS Nej SISA10BDN-T1-GE3
- Vishay Type N-Kanal 26.2 A 150 V Forbedring PowerPAK 1212-8S, SISS Nej SISS5710DN-T1-GE3
- Vishay Type N-Kanal 8 A 60 V Forbedring 1212-8, SIS Nej SIS4634LDN-T1-GE3
- Vishay Type N-Kanal 36 A 40 V Forbedring 1212-8, SISS Nej SISS4410DN-T1-GE3
