Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 87 A 60 V Forbedring, 3 Ben, PG-TO-220 FullPAK, OptiMOS 5
- RS-varenummer:
- 273-2996
- Producentens varenummer:
- IPA029N06NM5SXKSA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 36,05
(ekskl. moms)
Kr. 45,062
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 480 enhed(er) afsendes fra 08. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | Kr. 18,025 | Kr. 36,05 |
| 10 - 18 | Kr. 16,345 | Kr. 32,69 |
| 20 - 24 | Kr. 16,08 | Kr. 32,16 |
| 26 - 48 | Kr. 15,07 | Kr. 30,14 |
| 50 + | Kr. 13,875 | Kr. 27,75 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 273-2996
- Producentens varenummer:
- IPA029N06NM5SXKSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 87A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Serie | OptiMOS 5 | |
| Emballagetype | PG-TO-220 FullPAK | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 2.9mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 56nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 38W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 87A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Serie OptiMOS 5 | ||
Emballagetype PG-TO-220 FullPAK | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 2.9mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 56nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 38W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon power MOSFET i TO-220 fullPAK hus har øget effekttæthed, forbedret effektivitet med lav RDS og lavere systemomkostninger. TO-220 FullPAK husporteføljen af effekt MOSFET'er præsenterer en perfekt løsning til synkron ensretning.
Færre paralleller er påkrævet
Lavspændingsoverskridelse
Mindre varmeproduktion
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 87 A 60 V Forbedring PG-TO-220 FullPAK, OptiMOS 5
- Infineon Type N-Kanal 87 A 150 V Forbedring PG-TDSON-8, OptiMOS 5
- Infineon Type N-Kanal 15 A 250 V Forbedring PG-TO-220, OptiMOS 3
- Vishay N-kanal-Kanal 12 A 650 V Forbedring PG-TO-220 FullPAK, SF Series
- Infineon Type N-Kanal 220 A 100 V Forbedring PG-TDSON-8-53, OptiMOS 7
- Infineon Type N-Kanal 87 A 200 V Forbedring PG-HSOF-8, IPT
- Infineon Type P-Kanal 6.5 A 60 V Forbedring PG-TO252-3, OptiMOS
- Infineon Type N-Kanal 142 A 30 V Forbedring PG-TSDSON-8FL, OptiMOS