Infineon Type P-Kanal, MOSFET, -14.9 A -30 V Forbedring, 8 Ben, PG-DSO-8, BSO080P03S H OptiMOSTM-P Nej
- RS-varenummer:
- 273-5242
- Producentens varenummer:
- BSO080P03SHXUMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 55,47
(ekskl. moms)
Kr. 69,34
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 90 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 11,094 | Kr. 55,47 |
| 50 - 95 | Kr. 9,246 | Kr. 46,23 |
| 100 - 245 | Kr. 8,542 | Kr. 42,71 |
| 250 - 995 | Kr. 7,914 | Kr. 39,57 |
| 1000 + | Kr. 7,75 | Kr. 38,75 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 273-5242
- Producentens varenummer:
- BSO080P03SHXUMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type P | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | -14.9A | |
| Drain source spænding maks. Vds | -30V | |
| Emballagetype | PG-DSO-8 | |
| Serie | BSO080P03S H OptiMOSTM-P | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | -0.82V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 2.5W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | -102nC | |
| Portkildespænding maks. | 25 V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 40 mm | |
| Længde | 40mm | |
| Standarder/godkendelser | IEC61249-2-21, JEDEC, RoHS | |
| Højde | 1.5mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type P | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id -14.9A | ||
Drain source spænding maks. Vds -30V | ||
Emballagetype PG-DSO-8 | ||
Serie BSO080P03S H OptiMOSTM-P | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf -0.82V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 2.5W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk -102nC | ||
Portkildespænding maks. 25 V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 40 mm | ||
Længde 40mm | ||
Standarder/godkendelser IEC61249-2-21, JEDEC, RoHS | ||
Højde 1.5mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon MOSFET er en P-kanal effekt MOSFET. Disse produkter opfylder konsekvent de højeste kvalitets- og ydeevnekrav i nøglespecifikationer for strømforsyningssystemdesign som f.eks. på tilstandsmodstand og fortjenesteegenskaber. Den har en driftstemperatur på 150 grader Celsius og er kvalificeret i overensstemmelse med JEDEC til målapplikationer.
Logikniveau
Halogenfri
I overensstemmelse med RoHS
Blyfri blybelægning
Forbedringstilstand
Relaterede links
- Infineon Type P-Kanal -14.9 A -30 V Forbedring PG-DSO-8, BSO080P03S H OptiMOSTM-P Nej BSO080P03SHXUMA1
- Infineon Type P-Kanal 14.9 A -30 V Forbedring PG-DSO-8, OptiMOS Nej
- Infineon Type P-Kanal 14.9 A -30 V Forbedring PG-DSO-8, OptiMOS Nej BSO301SPHXUMA1
- Infineon Type P-Kanal 14.9 A 20 V Forbedring DSO, OptiMOS P Nej
- Infineon Type P-Kanal 14.9 A 20 V Forbedring DSO, OptiMOS P Nej BSO201SPHXUMA1
- Infineon Type N MOSFET 8 Ben ISA Nej ISA150233C03LMDSXTMA
- Infineon Type N MOSFET 8 Ben ISA Nej ISA170230C04LMDSXTMA1
- Infineon Type N MOSFET 8 Ben ISA Nej ISA250300C04LMDSXTMA1
