Infineon Type P-Kanal, MOSFET, 14.9 A -30 V Forbedring, 8 Ben, PG-DSO-8, OptiMOS

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 49,37

(ekskl. moms)

Kr. 61,71

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 10 enhed(er) afsendes fra 09. oktober 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
Pr pakke*
5 - 45Kr. 9,874Kr. 49,37
50 - 95Kr. 8,228Kr. 41,14
100 - 245Kr. 7,60Kr. 38,00
250 - 995Kr. 7,062Kr. 35,31
1000 +Kr. 6,912Kr. 34,56

*Vejledende pris

RS-varenummer:
273-5244
Producentens varenummer:
BSO301SPHXUMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type P

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

14.9A

Drain source spænding maks. Vds

-30V

Emballagetype

PG-DSO-8

Serie

OptiMOS

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

8mΩ

Kanalform

Forbedring

Portkildespænding maks.

20V

Effektafsættelse maks. Pd

2.5W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

136nC

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

40mm

Bredde

40mm

Højde

1.5mm

Standarder/godkendelser

JEDEC, RoHS, IEC61249-2-21

Bilindustristandarder

Nej

Infineon MOSFET er en P-kanal effekt MOSFET. Disse produkter opfylder konsekvent de højeste kvalitets- og ydeevnekrav i nøglespecifikationer for strømforsyningssystemdesign som f.eks. på tilstandsmodstand og fortjenesteegenskaber. Den har en driftstemperatur på 150 grader Celsius og er kvalificeret i overensstemmelse med JEDEC til målapplikationer.

Logikniveau

Halogenfri

I overensstemmelse med RoHS

Avalanche-godkendt

Blyfri blybelægning

Forbedringstilstand

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.