Infineon Type P-Kanal, MOSFET, 14.9 A -30 V Forbedring, 8 Ben, PG-DSO-8, OptiMOS Nej
- RS-varenummer:
- 273-5244
- Producentens varenummer:
- BSO301SPHXUMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 51,93
(ekskl. moms)
Kr. 64,91
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 75 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 10,386 | Kr. 51,93 |
| 50 - 95 | Kr. 8,646 | Kr. 43,23 |
| 100 - 245 | Kr. 8,004 | Kr. 40,02 |
| 250 - 995 | Kr. 7,406 | Kr. 37,03 |
| 1000 + | Kr. 7,27 | Kr. 36,35 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 273-5244
- Producentens varenummer:
- BSO301SPHXUMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type P | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 14.9A | |
| Drain source spænding maks. Vds | -30V | |
| Serie | OptiMOS | |
| Emballagetype | PG-DSO-8 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 8mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | ±20 V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 136nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 2.5W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 40 mm | |
| Længde | 40mm | |
| Højde | 1.5mm | |
| Standarder/godkendelser | JEDEC, RoHS, IEC61249-2-21 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type P | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 14.9A | ||
Drain source spænding maks. Vds -30V | ||
Serie OptiMOS | ||
Emballagetype PG-DSO-8 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 8mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. ±20 V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 136nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 2.5W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 40 mm | ||
Længde 40mm | ||
Højde 1.5mm | ||
Standarder/godkendelser JEDEC, RoHS, IEC61249-2-21 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon MOSFET er en P-kanal effekt MOSFET. Disse produkter opfylder konsekvent de højeste kvalitets- og ydeevnekrav i nøglespecifikationer for strømforsyningssystemdesign som f.eks. på tilstandsmodstand og fortjenesteegenskaber. Den har en driftstemperatur på 150 grader Celsius og er kvalificeret i overensstemmelse med JEDEC til målapplikationer.
Logikniveau
Halogenfri
I overensstemmelse med RoHS
Avalanche-godkendt
Blyfri blybelægning
Forbedringstilstand
Relaterede links
- Infineon Type P-Kanal 14.9 A -30 V Forbedring PG-DSO-8, OptiMOS Nej BSO301SPHXUMA1
- Infineon Type P-Kanal 14.9 A 20 V Forbedring DSO, OptiMOS P Nej
- Infineon Type P-Kanal 14.9 A 20 V Forbedring DSO, OptiMOS P Nej BSO201SPHXUMA1
- Infineon Type P-Kanal -14.9 A -30 V Forbedring PG-DSO-8, BSO080P03S H OptiMOSTM-P Nej
- Infineon Type P-Kanal -14.9 A -30 V Forbedring PG-DSO-8, BSO080P03S H OptiMOSTM-P Nej BSO080P03SHXUMA1
- Infineon Dual N-Kanal 9.6 A 40 V Forbedring PG-DSO-8, ISA ISA170170N04LMDSXTMA1
- Infineon Type N MOSFET 8 Ben ISA Nej ISA150233C03LMDSXTMA
- Infineon Type N MOSFET 8 Ben ISA Nej ISA170230C04LMDSXTMA1
