Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 8.8 A 100 V Forbedring, 7 Ben, SC-70-6L, SIA Nej SIA112LDJ-T1-GE3

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 10 enheder)*

Kr. 48,55

(ekskl. moms)

Kr. 60,69

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Restlager hos RS
  • Sidste 6.000 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
10 - 40Kr. 4,855Kr. 48,55
50 - 90Kr. 3,628Kr. 36,28
100 - 240Kr. 3,224Kr. 32,24
250 - 990Kr. 3,142Kr. 31,42
1000 +Kr. 3,082Kr. 30,82

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
279-9900
Producentens varenummer:
SIA112LDJ-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

8.8A

Drain source spænding maks. Vds

100V

Serie

SIA

Emballagetype

SC-70-6L

Monteringstype

Overflade

Benantal

7

Drain source modstand maks. Rds

0.119Ω

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

5.4nC

Effektafsættelse maks. Pd

15.6W

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

±20 V

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Længde

2.05mm

Bilindustristandarder

Nej

Vishay MOSFET er en N-kanal MOSFET, og transistoren i den er fremstillet af materiale kendt som silicium.

TrenchFET effekt MOSFET

Fuldt blyfri (Pb)-enhed

Meget lav RDS x Qg tal for fortjeneste

100 procent Rg og UIS testet

Relaterede links