Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 13 A 600 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, SIHF
- RS-varenummer:
- 279-9908
- Producentens varenummer:
- SIHF085N60EF-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 rør af 50 enheder)*
Kr. 1.417,75
(ekskl. moms)
Kr. 1.772,20
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 1.000 enhed(er) afsendes fra 08. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | Kr. 28,355 | Kr. 1.417,75 |
| 100 + | Kr. 25,207 | Kr. 1.260,35 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 279-9908
- Producentens varenummer:
- SIHF085N60EF-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 13A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 600V | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Serie | SIHF | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.084Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 63nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 35W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Længde | 10.1mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 13A | ||
Drain source spænding maks. Vds 600V | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Serie SIHF | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.084Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 63nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 35W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Længde 10.1mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Vishay MOSFET er en E-serien effekt MOSFET med Fast Body-diode, og transistoren i den er fremstillet af materiale kendt som silicium.
4. generation af E-seriens teknologi
Lav fortjeneste (FOM) Ron x Qg
Lav effektiv kapacitet
Avalanche-energimærke
Reduceret skifte- og ledningstab
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 13 A 600 V Forbedring TO-220, SIHF
- Vishay Type N-Kanal 14 A 650 V Forbedring TO-220, SIHF
- STMicroelectronics Type N-Kanal 13 A 600 V Forbedring TO-220, MDmesh
- Vishay Type N-Kanal 13 A 800 V Forbedring TO-220, E
- Vishay Type N-Kanal 41 A 600 V Forbedring TO-220, SiHP068N60EF
- Vishay Type N-Kanal 29 A 600 V Forbedring TO-220, SiHA105N60EF
- Vishay Type N-Kanal 19 A 600 V Forbedring TO-220, SiHP22N60EF
- Vishay Type N-Kanal 19 A 600 V Forbedring TO-220, EF