Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 13 A 600 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, EF
- RS-varenummer:
- 279-9908
- Producentens varenummer:
- SIHF085N60EF-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 rør af 50 enheder)*
Kr. 1.417,75
(ekskl. moms)
Kr. 1.772,20
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 1.000 enhed(er) afsendes fra 23. juli 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | Kr. 28,355 | Kr. 1.417,75 |
| 100 + | Kr. 25,207 | Kr. 1.260,35 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 279-9908
- Producentens varenummer:
- SIHF085N60EF-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 13A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 600V | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Serie | EF | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.084Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 30V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 63nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 35W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 10.1mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 13A | ||
Drain source spænding maks. Vds 600V | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Serie EF | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.084Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 30V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 63nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 35W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 10.1mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Vishay EF seriens MOSFET, 600 V drain-source spænding, 13 A kontinuerlig drain-strøm - SIHF085N60EF-GE3
Denne MOSFET er en højspændings N-kanal-transistor, der er designet til strømswitching i industrielle og elektroniske systemer. Den leveres i en TO-220-pakke med gennemgående hul til nem montering og termisk styring og er beregnet til brug, hvor der kræves robust spændingshåndtering og betydelig strømkapacitet.
Egenskaber og fordele:
• 600 V drain-klassificering muliggør højspændingskoblingsanvendelser • 13 A kontinuerlig drænstrøm understøtter betydelige belastningsstrømme • 0,084 Ω Rds(on) reducerer ledningstab under belastning • 35 W effekttab muliggør vedvarende strømhåndtering • ±30 V gate-tolerance giver mulighed for brede drevspændingsmargener • 63 nC typisk gate-ladning giver forudsigelig skifteadfærd
Anvendelser
• Velegnet til industrielle motordrevskiftetrin • Ideel til strømforsyninger og højspændingsomformere • Anvendes til inverter- og UPS-strømkoblingsmoduler • Kan bruges til induktiv belastningskontrol i automatiseringssystemer
Hvilket temperaturområde kan den arbejde inden for?
Den er mærket til drift fra -55 °C op til maks. 150 °C, hvilket giver mulighed for implementering i miljøer med forhøjede temperaturer.
Hvor mange ben har komponenten, og hvad er monteringstypen?
Den har tre ben og er konfigureret til montering gennem hul for at lette sikker kortmontering og køleelementinterface.
Hvilken pakkeform og strømhåndtering skal forventes ved montering af en køleplade?
TO-220-pakken med 35 W maksimal effekttab er velegnet til varmeafledertilslutning for forbedret termisk ydeevne ved kontinuerlig drift.
Er denne enhed i overensstemmelse med almindelige miljøbegrænsninger?
Den opfylder RoHS-kravene, hvilket angiver overholdelse af specificerede grænseværdier for farlige stoffer.
Hvordan påvirker gate-opladningen koblingsdesign?
En typisk gate-ladning på 63 nC hjælper med at bestemme driverstrømkravene og koblingsovergangstider for effektivt gate-drive-design.
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 13 A 600 V Forbedring TO-220, SIHF
- Vishay Type N-Kanal 14 A 650 V Forbedring TO-220, SIHF
- STMicroelectronics Type N-Kanal 13 A 600 V Forbedring TO-220, MDmesh
- Vishay Type N-Kanal 13 A 800 V Forbedring TO-220, E
- Vishay Type N-Kanal 41 A 600 V Forbedring TO-220, SiHP068N60EF
- Vishay Type N-Kanal 29 A 600 V Forbedring TO-220, SiHA105N60EF
- Vishay Type N-Kanal 19 A 600 V Forbedring TO-220, SiHP22N60EF
- Vishay Type N-Kanal 19 A 600 V Forbedring TO-220, EF