Vishay N-Kanal, MOSFET, 13 A 600 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, EF

RS-varenummer:: 279-9908
Producentens varenummer:: SIHF085N60EF-GE3
Brand:: Vishay

Vishay N-Kanal, MOSFET, 13 A 600 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, EF

Kan ikke leveres i øjeblikket

Beklager, men vi ved ikke, hvornår dette er på lager igen.

RS-varenummer:: 279-9908
Producentens varenummer:: SIHF085N60EF-GE3
Brand:: Vishay

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Vishay
	Produkttype	MOSFET
	Kanaltype	N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	13A
	Drain source spænding maks. Vds	600V
	Emballagetype	TO-220
	Serie	EF
	Monteringstype	Hulmontering
	Benantal	3
	Drain source modstand maks. Rds	0.084Ω
	Kanalform	Forbedring
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	63nC
	Portkildespænding maks.	30V
	Gennemgangsspænding Vf	1.2V
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Effektafsættelse maks. Pd	35W
	Driftstemperatur maks.	150°C
	Standarder/godkendelser	RoHS
	Længde	10.1mm
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand Vishay
	Produkttype MOSFET
	Kanaltype N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 13A
	Drain source spænding maks. Vds 600V
	Emballagetype TO-220
	Serie EF
	Monteringstype Hulmontering
	Benantal 3
	Drain source modstand maks. Rds 0.084Ω
	Kanalform Forbedring
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 63nC
	Portkildespænding maks. 30V
	Gennemgangsspænding Vf 1.2V
	Min. driftstemperatur -55°C
	Effektafsættelse maks. Pd 35W
	Driftstemperatur maks. 150°C
	Standarder/godkendelser RoHS
	Længde 10.1mm
	Bilindustristandarder Nej

Datasheet - SIHF085N60EF-GE3

Vishay EF seriens MOSFET, 600 V maksimal drain-kildespænding, 13 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - SIHF085N60EF-GE3

Denne MOSFET er en højspændings N-kanal-forbedringsenhed, der er beregnet til strøm-switching- og styretrin i hulmontering. Den er designet til at håndtere høje drain-til-kilde-belastninger, mens den fungerer over et bredt temperaturområde, hvilket gør den velegnet til krævende elektroniske systemer, der kræver robust omskiftning og termisk modstandsdygtighed.

Egenskaber og fordele:

• 600 V drain-kapacitet, der muliggør højspændingskoblingsanvendelser
• 13 A kontinuerlig afløbsstrøm for vedvarende strømforsyning
• 0,084 Ω lav modstand ved tænding reducerer ledningstab
• 35 W effekttab understøtter moderat termisk belastning
• 63 nC typisk gate-ladning giver mulighed for forudsigelig skifteadfærd
• Vgs-klassificering ±30 V for robuste gate-drive-tolerancer

Anvendelser

• Velegnet til højspændingsstrømomformere og invertere
• Ideel til industrielle skiftetrin for motordrev
• Anvendes sammen med strømforsyninger, der kræver montering gennem hul
• Kan bruges til switch-mode strømforsyninger i industrielt udstyr
• Velegnet til prototype- og reparationsarbejde på ældre strømsystemer

Hvilken monteringstype kræves der, og hvordan påvirker det termisk håndtering?

Den bruger en TO-220-pakke med gennemgående hul, der giver mulighed for at bolte til en køleplade for forbedret varmeafledning og nem printmontering.

Hvilke hensyn til gate-driver er nødvendige for effektiv omskiftning?

Design driveren til at levere tilstrækkelig ladning til den typiske 63 nC gate-ladning for at opnå de ønskede stige-/faldtider og samtidig undgå overdreven gate-belastning tæt på ±30 V grænseværdi.

Hvordan fungerer enheden over ekstreme temperaturer?

Den er normeret til drift fra -55 °C op til 150 °C, hvilket giver mulighed for brug i miljøer med betydelig termisk variation, samtidig med at de elektriske egenskaber opretholdes.

Hvad er fremadgående ledningsegenskaber, der er relevante for diodeledningsbaner?

Specifikationen for fremadgående spænding er 1,2 V, hvilket informerer tabsberegninger, når der opstår ledning af husdioden under omskiftning eller hændelser med omvendt strøm.