Vishay N-Kanal, MOSFET, 35 A 650 V Forbedring, 3 Ben, JEDEC TO-220AB, SIHP
- RS-varenummer:
- 279-9924
- Producentens varenummer:
- SIHP074N65E-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 enhed)*
Kr. 60,51
(ekskl. moms)
Kr. 75,64
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 1.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 60,51 |
| 10 - 24 | Kr. 59,24 |
| 25 - 99 | Kr. 58,04 |
| 100 + | Kr. 56,85 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 279-9924
- Producentens varenummer:
- SIHP074N65E-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 35A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Emballagetype | JEDEC TO-220AB | |
| Serie | SIHP | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.078Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 250W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 8nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Portkildespænding maks. | 30V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 35A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Emballagetype JEDEC TO-220AB | ||
Serie SIHP | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.078Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 250W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 8nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Portkildespænding maks. 30V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Vishay SIHP seriens MOSFET, 650 V drain source spænding, 35 A kontinuerlig drain strøm - SIHP074N65E-GE3
Denne MOSFET er en højspændings N-kanal-forbedringsenhed, der er designet til effektomskiftning og konvertering i industriel elektronik. Den understøtter montering gennem hul i en TO-220AB-pakke og er velegnet til anvendelser, der kræver robust termisk håndtering og portbeskyttelse inden for et bredt omgivende område.
Egenskaber og fordele:
• 650 V drain-klassificering, der muliggør højspændingskontaktkapacitet
• 35 A kontinuerlig afløbsstrøm for vedvarende strømforsyning
• 0.078 Ω RDS(on), der giver lave ledningstab
• 250 W effekttab for øget termisk ydeevne
• 8 nC typisk gate-ladning til effektiv gate-drive-switching
• 30 V maksimal gate-source-beskyttelse for at begrænse gate-belastning
• 35 A kontinuerlig afløbsstrøm for vedvarende strømforsyning
• 0.078 Ω RDS(on), der giver lave ledningstab
• 250 W effekttab for øget termisk ydeevne
• 8 nC typisk gate-ladning til effektiv gate-drive-switching
• 30 V maksimal gate-source-beskyttelse for at begrænse gate-belastning
Anvendelser
• Velegnet til højspændings-switch-mode strømforsyninger
• Ideel til industrielle motoromformertrin
• Anvendes til strømkonditioneringskredsløb til vedvarende energi
• Kan bruges til hård omskiftning i industrielle konvertere
• Velegnet til udskiftning af huller i ældre design
• Ideel til industrielle motoromformertrin
• Anvendes til strømkonditioneringskredsløb til vedvarende energi
• Kan bruges til hård omskiftning i industrielle konvertere
• Velegnet til udskiftning af huller i ældre design
Hvilke ekstreme temperaturer kan den modstå under drift?
Den fungerer pålideligt over et bredt termisk område fra -55 °C op til 150 °C, hvilket giver mulighed for brug under barske omgivelsesforhold.
Hvordan påvirker pakken køling og montering?
TO-220AB-pakken med gennemgående hul giver en metalflig til varmeafledning og nem montering på printkort eller chassis for forbedret termisk styring.
Hvilke overvejelser om gate-driver kræves der for switching-ydeevne?
Design gate-drivere til at levere tilstrækkelig strøm til en 8 nC gate-ladning for at opnå de ønskede skiftehastigheder under overholdelse af 30 V gate-source-grænse.
Er der specifikke fremadgående ledningsegenskaber, der skal bemærkes?
Enheden har en fremadgående spænding på 1,2 V under ledning, som bør medregnes i tabs- og termiske beregninger.
Relaterede links
- Vishay N-Kanal 35 A 650 V Forbedring JEDEC TO-220AB, SIHP
- Vishay N-Kanal 22 A 650 V Forbedring JEDEC TO-220AB, SIHP
- Vishay N-Kanal 34 A 650 V Forbedring JEDEC TO-220AB, SIHP
- Vishay N-Kanal 47 A 650 V Forbedring JEDEC TO-220AB, SIHP
- Vishay N-Kanal 21 A 600 V Forbedring JEDEC TO-220AB, SIHP
- Vishay N-Kanal 35 A 650 V Forbedring JEDEC TO-220AB, E
- Vishay N-Kanal 18 A 650 V Forbedring JEDEC TO-220AB, EF
- Vishay N-Kanal 6.4 A 650 V Forbedring JEDEC TO-220AB, E