Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 198 A 30 V Forbedring, 8 Ben, 1212-F, SISD

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (1 pakke af 4 enheder)*

Kr. 64,632

(ekskl. moms)

Kr. 80,792

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 6.000 enhed(er) afsendes fra 08. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
Pr pakke*
4 - 56Kr. 16,158Kr. 64,63
60 - 96Kr. 12,138Kr. 48,55
100 - 236Kr. 10,753Kr. 43,01
240 - 996Kr. 10,565Kr. 42,26
1000 +Kr. 10,34Kr. 41,36

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
279-9979
Producentens varenummer:
SISD5300DN-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

198A

Drain source spænding maks. Vds

30V

Serie

SISD

Emballagetype

1212-F

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

0.00087Ω

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

57W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

36.2nC

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Længde

3.3mm

Bilindustristandarder

Nej

Vishay MOSFET er en N-kanal MOSFET, og transistoren i den er fremstillet af materiale kendt som silicium.

TrenchFET effekt MOSFET

Fuldt blyfri (Pb)-enhed

Meget lav RDS x Qg tal for fortjeneste

100 procent Rg og UIS testet

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.