MPN

Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 198 A 30 V Forbedring, 8 Ben, 1212-F, SISD

Name: Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 198 A 30 V Forbedring, 8 Ben, 1212-F, SISD
Brand: Vishay
SKU: 279-9979
Availability: InStock

Der er mulighed for mængderabat

Se mængderabatter

Indhold (1 pakke af 4 enheder)*

Kr. 74,58

(ekskl. moms)

Kr. 93,224

(inkl. moms)

På lager

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

*Vejledende pris

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Vishay
	Kanaltype	Type N
	Produkttype	MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	198A
	Drain source spænding maks. Vds	30V
	Serie	SISD
	Emballagetype	1212-F
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	8
	Drain source modstand maks. Rds	0.00087Ω
	Kanalform	Forbedring
	Effektafsættelse maks. Pd	57W
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	36.2nC
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Driftstemperatur maks.	150°C
	Længde	3.3mm
	Standarder/godkendelser	RoHS
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand Vishay
	Kanaltype Type N
	Produkttype MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 198A
	Drain source spænding maks. Vds 30V
	Serie SISD
	Emballagetype 1212-F
	Monteringstype Overflade
	Benantal 8
	Drain source modstand maks. Rds 0.00087Ω
	Kanalform Forbedring
	Effektafsættelse maks. Pd 57W
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 36.2nC
	Min. driftstemperatur -55°C
	Driftstemperatur maks. 150°C
	Længde 3.3mm
	Standarder/godkendelser RoHS
	Bilindustristandarder Nej

Vishay MOSFET er en N-kanal MOSFET, og transistoren i den er fremstillet af materiale kendt som silicium.

TrenchFET effekt MOSFET

Fuldt blyfri (Pb)-enhed

Meget lav RDS x Qg tal for fortjeneste

100 procent Rg og UIS testet

Relaterede links

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.