STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 5 A 800 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, STP80N

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 2 enheder)*

Kr. 27,22

(ekskl. moms)

Kr. 34,02

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Lagerinformation er i øjeblikket ikke tilgængelig - Vend tilbage senere
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
2 - 8Kr. 13,61Kr. 27,22
10 +Kr. 12,235Kr. 24,47

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
287-7047
Producentens varenummer:
STP80N1K1K6
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

5A

Drain source spænding maks. Vds

800V

Emballagetype

TO-220

Serie

STP80N

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

1.1mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

62W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

5.7nC

Gennemgangsspænding Vf

1.5V

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN
STMicroelectronics Power MOSFET er designet ved hjælp af den ultimative MDmesh K6-teknologi baseret på 20 års STMicroelectronics-erfaring med super junction-teknologi. Resultatet er det bedste i klassen med hensyn til modstand pr. område og gate-opladning til anvendelser, der kræver fremragende effekttæthed og høj effektivitet.

Verdens bedste FOM

Ultra lav gate-ladning

100 procent lavinetestet

Relaterede links