STMicroelectronics N-Kanal, MOSFET-transistor, 40 A 100 V, 3 ben, D2PAK, STripFET STB35NF10

Brand

STMicroelectronics

Kanaltype

N

Drain-strøm kontinuerlig maks.

40 A

Drain source spænding maks.

100 V

Kapslingstype

D2PAK

Serie

STripFET

Monteringstype

Overflademontering

Benantal

3

Drain source modstand maks.

35 mΩ

Kanalform

Enhancement

Maks. tærskelspænding for port

4V

Mindste tærskelspænding for port

2V

Effektafsættelse maks.

115 W

Gate source spænding maks.

-20 V, +20 V

Bredde

9.35mm

Driftstemperatur maks.

+175 °C

Gate-ladning ved Vgs typisk

55 nC ved 10 V

Antal elementer per chip

1

Længde

10.4mm

Driftstemperatur min.

-55 °C

Højde

4.6mm