Infineon N-Kanal, MOSFET-transistor, 120 A 40 V, 3 ben, D2PAK, HEXFET IRF4104SPBF

Ikke tilgængelig
RS lagerfører ikke længere dette produkt
Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
651-8894
Producentens varenummer:
IRF4104SPBF
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

N

Drain-strøm kontinuerlig maks.

120 A

Drain source spænding maks.

40 V

Kapslingstype

D2PAK

Serie

HEXFET

Monteringstype

Overflademontering

Benantal

3

Drain source modstand maks.

6 mΩ

Kanalform

Enhancement

Maks. tærskelspænding for port

4V

Mindste tærskelspænding for port

2V

Effektafsættelse maks.

140 W

Gate source spænding maks.

-20 V, +20 V

Antal elementer per chip

1

Gate-ladning ved Vgs typisk

68 nC ved 10 V

Længde

10.67mm

Driftstemperatur maks.

+175 °C

Bredde

9.65mm

Driftstemperatur min.

-55 °C

Højde

4.83mm

Relaterede links