STMicroelectronics N-Kanal, MOSFET, 9 A 200 V, 3 ben, TO-220, STripFET IRF630
- RS-varenummer:
- 486-0171
- Producentens varenummer:
- IRF630
- Brand:
- STMicroelectronics
95 På lager for afsendelse samme dag
180 enheder til afsendelse inden for 1 arbejdsdag(e) (UK lager)
Tilføjet
Pris pr. stk. (Leveres i pakke af 5)
Kr. 10,232
(ekskl. moms)
Kr. 12,79
(inkl. moms)
| Enheder | Pr stk. | Pr pakke* |
| 5 - 20 | Kr. 10,232 | Kr. 51,16 |
| 25 - 45 | Kr. 9,738 | Kr. 48,69 |
| 50 - 120 | Kr. 8,766 | Kr. 43,83 |
| 125 - 245 | Kr. 7,884 | Kr. 39,42 |
| 250 + | Kr. 7,48 | Kr. 37,40 |
- RS-varenummer:
- 486-0171
- Producentens varenummer:
- IRF630
- Brand:
- STMicroelectronics
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
N-kanal STripFET™, STMicroelectronics
MOSFET-transistorer, STMicroelectronics
Egenskaber
Attribute | Value |
|---|---|
| Kanaltype | N |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. | 9 A |
| Drain source spænding maks. | 200 V |
| Kapslingstype | TO-220 |
| Serie | STripFET |
| Monteringstype | Hulmontering |
| Benantal | 3 |
| Drain source modstand maks. | 400 mΩ |
| Kanalform | Enhancement |
| Maks. tærskelspænding for port | 4V |
| Mindste tærskelspænding for port | 2V |
| Effektafsættelse maks. | 75 W |
| Transistorkonfiguration | Enkelt |
| Gate source spænding maks. | -20 V, +20 V |
| Bredde | 4.6mm |
| Driftstemperatur maks. | +150 °C |
| Antal elementer per chip | 1 |
| Gate-ladning ved Vgs typisk | 31 nC ved 10 V |
| Transistormateriale | Si |
| Længde | 10.4mm |
| Driftstemperatur min. | -65 °C |
| Højde | 9.15mm |
- RS-varenummer:
- 486-0171
- Producentens varenummer:
- IRF630
- Brand:
- STMicroelectronics