Infineon N-Kanal, MOSFET, 110 A 55 V, 3 ben, TO-247AC, HEXFET IRFP064NPBF
- RS-varenummer:
- 541-0008P
- Producentens varenummer:
- IRFP064NPBF
- Brand:
- Infineon
Ikke tilgængelig
RS lagerfører ikke længere dette produkt
Alternativ
Dette produkt er ikke tilgængeligt i øjeblikket. Vi anbefaler dette alternativ.
Pr. stk. (i rør á 25)
Kr. 10,682
(ekskl. moms)
Kr. 13,352
(inkl. moms)
- RS-varenummer:
- 541-0008P
- Producentens varenummer:
- IRFP064NPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 110A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 55V | |
| Emballagetype | TO-247 | |
| Serie | HEXFET | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 8mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 170nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 200W | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Længde | 15.9mm | |
| Højde | 20.3mm | |
| Bredde | 5.3 mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 110A | ||
Drain source spænding maks. Vds 55V | ||
Emballagetype TO-247 | ||
Serie HEXFET | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 8mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 170nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 200W | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Længde 15.9mm | ||
Højde 20.3mm | ||
Bredde 5.3 mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon MOSFET i HEXFET-serien, 110A maksimal kontinuerlig afløbsstrøm, 200W maksimal effektafledning - IRFP064NPBF
Denne MOSFET er en højtydende elektronisk komponent, der er designet til effektiv strømstyring. Den kan håndtere en kontinuerlig drain-strøm på 110 A og en maksimal drain-source-spænding på 55 V, hvilket gør den velegnet til brug i automations-, elektronik- og elektroindustrien. Enhancement mode-designet sikrer optimal ydeevne under forskellige forhold, hvilket fremhæver dets rolle i moderne elektroniske systemer.
Egenskaber og fordele
• Lav tændingsmodstand på 8mΩ øger effektiviteten
• Maksimal effektafledning på 200W sikrer robust drift
• Kan modstå driftstemperaturer på op til +175 °C
• Alsidig, kompatibel med både negative og positive gate-source-spændinger
• Konfiguration med en enkelt transistor understøtter en lang række anvendelser
Anvendelsesområder
• Bruges i strømforsyningskredsløb, der kræver høj effektivitet
• Almindelig i motorstyringssystemer til automatisering
• Egnet til telekommunikationsudstyr
• Effektiv i strømkonverteringssystemer i industrielle miljøer
Hvad er den maksimale effektafledning for denne komponent?
Det maksimale strømforbrug er 200W, hvilket understøtter en robust ydeevne på tværs af forskellige applikationer.
Kan den fungere i miljøer med høje temperaturer?
Ja, den er i stand til at fungere effektivt ved temperaturer op til +175 °C, hvilket gør den velegnet til udfordrende forhold.
Hvilken type gate-spænding er nødvendig for driften?
Denne enhed fungerer med et maksimalt gate-source-spændingsområde på -20V til +20V, hvilket giver mulighed for fleksible kontrolmuligheder.
Hvordan påvirker kanaltypen dens ydeevne?
N-kanaltypen er fordelagtig til applikationer, der kræver effektiv switching og høj strømhåndtering.
Er den velegnet til integration af gennemgående huller?
Ja, den har en TO-247AC-pakke med en monteringstype med gennemgående hul, hvilket gør installationen ligetil i forskellige opsætninger.