Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 18 A 55 V Forbedring, 3 Ben, JEDEC TO-220AB, HEXFET Nej IRLZ24NPBF
- RS-varenummer:
- 541-1231
- Producentens varenummer:
- IRLZ24NPBF
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 enhed)*
Kr. 7,18
(ekskl. moms)
Kr. 8,98
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- 1 enhed(er) afsendes fra 12. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 24 | Kr. 7,18 |
| 25 - 49 | Kr. 6,36 |
| 50 - 99 | Kr. 5,91 |
| 100 - 249 | Kr. 5,46 |
| 250 + | Kr. 5,01 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 541-1231
- Producentens varenummer:
- IRLZ24NPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 18A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 55V | |
| Emballagetype | JEDEC TO-220AB | |
| Serie | HEXFET | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 60mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 15nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 16 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 45W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | JEDEC TO-220AB, ANSI Y14.5M, 1982 | |
| Højde | 8.77mm | |
| Længde | 10.54mm | |
| Bredde | 4.69 mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 18A | ||
Drain source spænding maks. Vds 55V | ||
Emballagetype JEDEC TO-220AB | ||
Serie HEXFET | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 60mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 15nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 16 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 45W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser JEDEC TO-220AB, ANSI Y14.5M, 1982 | ||
Højde 8.77mm | ||
Længde 10.54mm | ||
Bredde 4.69 mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon MOSFET i HEXFET-serien, 18A maksimal kontinuerlig afløbsstrøm, 45W maksimal effektafledning - IRLZ24NPBF
Denne MOSFET er en vigtig komponent til forskellige effektanvendelser, kendt for sin effektive ydeevne og robuste specifikationer. Infineons HEXFET-teknologi sikrer præcision i elektroniske designs, hvilket gør den til et populært valg inden for automatisering og mekanisk industri. Den kontrollerer effektivt strømmen i enheder og har stor indflydelse på moderne elektriske systemer.
Egenskaber og fordele
• Understøtter en maksimal kontinuerlig afløbsstrøm på 18A for høj ydeevne
• Fungerer under en maksimal drain-source-spænding på 55 V til alsidige anvendelser
• Lav gate-tærskelspænding minimerer energitab under drift
• Udviser lav drain-source modstand for forbedret effektivitet
• Har mulighed for forbedringstilstand til præcis omskiftning
• Kan modstå temperaturer op til +175 °C for at fungere under barske forhold
Anvendelsesområder
• Anvendes til strømstyring i industrielle automationssystemer
• Integreret i switching-strømforsyninger for optimal ydelse
• Anvendes i motordrevne kredsløb til forbedret kontrol
• Inkorporeret i forskellige former for forbrugerelektronik for pålidelig ydeevne
Hvad er de anbefalede gate-source-spændinger for korrekt drift?
Enheden kan håndtere en maksimal gate-source-spænding på -16V til +16V, hvilket sikrer en stabil ydelse.
Kan denne komponent bruges i miljøer med høje temperaturer?
Ja, den fungerer effektivt i temperaturer fra -55 °C til +175 °C, hvilket gør den velegnet til forskellige anvendelser.
Hvordan påvirker den lave Rds(on) energiforbruget?
En lav drain-source-modstand minimerer strømtabet, forbedrer den samlede effektivitet og reducerer varmeudviklingen under drift.
Hvilke overvejelser skal man gøre sig under installationen?
Man skal være opmærksom på monteringstypen for at sikre en sikker installation og tilstrækkelig køling for at undgå overophedning.
Er denne komponent kompatibel med standard TO-220AB-pakker?
Ja, dens design er i overensstemmelse med TO-220AB-standarden, hvilket gør det nemt at integrere den i eksisterende systemer.
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 18 A 55 V Forbedring JEDEC TO-220AB, HEXFET Nej
- Infineon Type N-Kanal 53 A 55 V Forbedring JEDEC TO-220AB, HEXFET Nej IRFZ46NPBF
- Infineon Type N-Kanal 110 A 55 V Forbedring JEDEC TO-220AB, HEXFET AEC-Q101 AUIRF3205Z
- Infineon Type N-Kanal 51 A 55 V Forbedring JEDEC TO-220AB, HEXFET AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 51 A 55 V Forbedring JEDEC TO-220AB, HEXFET AEC-Q101 IRLZ44ZPBF
- Infineon 1 Type N-Kanal Enkelt 3 Ben HEXFET AEC-Q101 AUIRL3705Z
- Infineon Type N-Kanal 73 A 100 V Forbedring JEDEC TO-220AB, HEXFET IRFB4610PBF
- Infineon Type N-Kanal 87 A 100 V Forbedring JEDEC TO-220AB, HEXFET Nej
