Infineon Type P-Kanal, MOSFET, 40 A 100 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- RS-varenummer:
- 541-1720
- Elfa Distrelec varenummer:
- 303-41-280
- Producentens varenummer:
- IRF5210PBF
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 enhed)*
Kr. 21,09
(ekskl. moms)
Kr. 26,36
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 219 enhed(er) klar til afsendelse
- Plus 106 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 21,09 |
| 10 - 24 | Kr. 20,12 |
| 25 - 49 | Kr. 19,75 |
| 50 - 99 | Kr. 18,33 |
| 100 + | Kr. 17,13 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 541-1720
- Elfa Distrelec varenummer:
- 303-41-280
- Producentens varenummer:
- IRF5210PBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type P | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 40A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Serie | HEXFET | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 60mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1.6V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 180nC | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 200W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Højde | 8.77mm | |
| Bredde | 4.69 mm | |
| Længde | 10.54mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type P | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 40A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Serie HEXFET | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 60mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf -1.6V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 180nC | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 200W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Højde 8.77mm | ||
Bredde 4.69 mm | ||
Længde 10.54mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon MOSFET i HEXFET-serien, 40A maksimal kontinuerlig afløbsstrøm, 200W maksimal effektafledning - IRF5210PBF
Denne MOSFET er designet til forskellige elektriske og elektroniske anvendelser. Den er optimeret til høj effektivitet og understøtter automatiserings- og kontrolsystemer, hvor effektiv strømstyring er afgørende. Dens robuste specifikationer muliggør præcis kredsløbskontrol og sikrer pålidelighed og effektivitet i udfordrende miljøer.
Egenskaber og fordele
• 40A kontinuerlig afløbsstrøm passer til applikationer med høj effekt
• 100V maksimal drain-source-spænding giver operationel alsidighed
• P-kanal-design forenkler kredsløbskonfigurationen
• Enhancement mode-funktionalitet muliggør effektiv strømstyring
• Høj maksimal effektafledningsevne forbedrer den termiske ydeevne
Anvendelsesområder
• Strømafbrydelse i industriel automatisering
• DC-DC-konvertere til effektiv strømforsyning
• Motorstyringskredsløb til præcision
• Scenarier for håndtering af spidseffekt i elektronik
Hvad er den maksimale driftstemperatur for denne komponent?
Komponenten kan fungere ved en maksimal temperatur på +175 °C, hvilket gør den velegnet til applikationer med høje temperaturer.
Hvordan gavner den lave on-modstand kredsløbets ydeevne?
Den lave on-modstand resulterer i reduceret effekttab, hvilket fører til øget energieffektivitet og forbedret varmestyring.
Er dette egnet til anvendelse i bilsystemer?
Ja, dens robuste specifikationer og termiske egenskaber gør den velegnet til applikationer i bilindustrien, hvor pålidelighed er afgørende.
Hvilken slags kredsløbskonfigurationer kan den integreres i?
Denne komponent integreres problemfrit i forskellige konfigurationer, herunder enkelt- og parallelarrangementer, hvilket giver mulighed for designfleksibilitet.
Hvordan skal den installeres for at sikre optimal ydeevne?
Sørg for korrekt termisk kontakt med en kølelegeme, og overhold de anbefalede retningslinjer for PCB-layout for at forbedre ydeevne og pålidelighed.
Relaterede links
- Infineon Type P-Kanal 40 A 100 V Forbedring TO-220, HEXFET Nej
- Infineon Type P-Kanal 14 A 100 V Forbedring TO-220, HEXFET Nej
- Infineon Type P-Kanal 23 A 100 V Forbedring TO-220, HEXFET Nej
- Infineon Type P-Kanal 31 A 55 V Forbedring TO-220, HEXFET Nej
- Infineon Type P-Kanal 19 A 55 V Forbedring TO-220, HEXFET Nej
- Infineon Type P-Kanal 74 A 55 V Forbedring TO-220, HEXFET Nej
- Infineon Type P-Kanal 12 A 55 V Forbedring TO-220, HEXFET Nej
- Infineon Type P-Kanal 74 A 55 V Forbedring TO-220, HEXFET Nej IRF4905PBF
