Vishay Type P-Kanal, Effekt MOSFET, -6.7 A -60 V Forbedring, 3 Ben, JEDEC TO-220AB, IRF9Z14

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (1 enhed)*

Kr. 13,02

(ekskl. moms)

Kr. 16,28

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 338 enhed(er) afsendes fra 19. oktober 2026
  • Plus 340 enhed(er) afsendes fra 26. oktober 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
1 - 9Kr. 13,02
10 - 49Kr. 11,74
50 - 99Kr. 10,32
100 - 249Kr. 9,72
250 +Kr. 9,05

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
542-9478
Producentens varenummer:
IRF9Z14PBF
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

Type P

Produkttype

Effekt MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

-6.7A

Drain source spænding maks. Vds

-60V

Emballagetype

JEDEC TO-220AB

Serie

IRF9Z14

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

500mΩ

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

43W

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

12nC

Portkildespænding maks.

-20V, +20V

Gennemgangsspænding Vf

-5.5V

Driftstemperatur maks.

175°C

Højde

9.01mm

Standarder/godkendelser

RoHS

Længde

10.41mm

Bredde

4.7mm

Bilindustristandarder

Nej

Vishay IRF9Z14 seriens effekt-MOSFET, 60 V drain source spænding, 43 W effekttab - IRF9Z14PBF


Denne effekt-MOSFET er en P-kanal-enhed, der er designet til koblings- og forstærkningsopgaver i medium-effekt-elektronik. Den fungerer med negative drain-source- og gate-source-polariteter og leveres i en TO-220AB-pakke med gennemgående huller, der er velegnet til kort, der kræver robust montering og termisk interface. Komponenten er i overensstemmelse med RoHS og er beregnet til anvendelser, der kræver defineret gate-styring og pålidelig strømstyring i begrænsede termiske miljøer.

Egenskaber og fordele:


• Klassificeret til -60 V drain-source-spænding, der muliggør P-kanaldesign med højere spænding
• Maksimal kontinuerlig afløbsstrøm på -6,7 A understøtter betydelige belastningsstrømme
• Maks. effekttab på 43 W muliggør vedvarende termisk belastning
• Typisk gate-ladning 12 nC reducerer koblingsenergi og overgangstab
• Lav RDS(on) 500 mΩ minimerer ledningstab ved driftsforhold
• Tolerant driftsområde -55 °C til 175 °C til systemer med forhøjet temperatur

Anvendelser


• Velegnet til koblingsopgaver for lydforstærkerens effekttrin
• Ideel til diskret high-side-switching i strømforsyninger
• Anvendes med hulmontering, der kræver fast fastgørelse af køleelement
• Kan bruges til motordrevskredsløb, der har brug for en P-kanalkonfiguration
• Velegnet til udskiftning i konstruktioner, der kræver 60 V P-kanalenheder

Hvad er pakken og monteringstypen til kortintegration?


Enheden leveres i en TO-220AB-pakke med tre ben til montering gennem hul, hvilket letter nemme loddeforbindelser og mekanisk stabilitet.

Hvordan påvirker gate-spændingsgrænsen styringskredsløb?


Den maksimale mærkespænding for gate-kilde er 20 V, så driverkredsløb skal holde gate-svingninger inden for denne grænse for at undgå skader.

Hvilke termiske overvejelser skal jeg overholde under printkortdesign?


Med en maksimal dissipation på 43 W bør designere sørge for et køleelement eller et tilstrækkeligt kobberareal og overveje termiske kanaler for at opretholde forbindelsestemperaturer.

Hvordan påvirker kanaltype og tilstand skifteadfærden?


Som en P-kanalforbedringsenhed kræver den en gate-spænding, der er mere positiv i forhold til kilden for at slukke og mere negativ i forhold til kilden for at tænde, velegnet til high-side-arrangementer.

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.